Регистрация / Вход
Прислать материал

Разработка технологии и
конструкции радиационно-стойких функциональных материалов на основе
полупроводниковых наногетероструктур соединений АЗВ5

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Проект закончен
Проект
02.740.11.0191
Организация
НИЯУ МИФИ
Руководитель работ
Стриханов Михаил Николаевич

Информация отсутствует

Этапы проекта

1
25.06.2009 - 30.09.2009
1.1. Анализ научно-технической
литературы, нормативно-технической
документации и других материалов,
относящихся к разрабатываемой теме.
1.2. Формулировка методик решения
задач, поставленных в ТЗ НИР.
1 .3. Разработка лабораторных методик
создания наногетероструктур на основе
подложек ОаАз.
1.4. Проведение патентных
исследований по ГОСТ 15.01 1-96.
1.5. Доработка испытательного стенда
для исследования температурных
зависимостей гальваномагнитных
эффектов. т т
1.6. Отработка основных методик
электрофизических исследований
свойств наногетероструктур.
Развернуть
2
01.10.2009 - 10.12.2009
2.1. Отработка лабораторной
технологии создания
наногетероструктур методом
молекулярно-лучевой эпитаксии на
основе подложек ОаАз. Изготовление
опытных образцов наногетероструктур.
2.2. Исследование электрофизических
характеристик опытных образцов
наногетероструктур различной
конструкции.
2.3. Разработка методики и программы
испытаний экспериментальных
образцов наногетероструктур на
радиационную стойкость при
облучении потоком нейтронов низкой
интенсивности.
2.4. Разработка методики и программы
испытаний экспериментальных
образцов наногетероструктур на
радиационную стойкость при
облучении потоком
высокоэнергетических гамма-квантов.
2.5. Оптимизация режимов роста
буферных слоев и сверхрешеток в
составе наногетероструктур при
помощи методики дифракции быстрых
электронов.
2.6. Расчет энергетического спектра
электронов в двумерных
наногетероструктурах для
оптимизации конструкции слоев.
Развернуть
3
01.01.2010 - 30.06.2010
3.1. Испытания экспериментальных
образцов наногетероструктур на
радиационную стойкость при
облучении потоком
высокоэнергетических гамма-квантов.
3.2. Испытания экспериментальных
образцов наногетероструктур на
радиационную стойкость при
облучении потоком нейтронов низкой
интенсивности.
3.3. Исследование влияния
радиационных воздействий на
электрофизические свойства
наногетероструктур в зависимости от
их конструкции.
3.4. Разработка методов повышения
радиационной стойкости
наногетероструктур с использованием
функциональных нанослоев и
сверхрешеток.
3.5. Исследование оптических
характеристик и структурных свойств
образцов, полученных на данном этапе.
3.6. Исследование структурных
свойств образцов методами
ретнгеновской дифрактометрии.
Развернуть
4
01.07.2010 - 10.12.2010
4.1. Изготовление дискретных
транзисторов на основе
наногетероструктур АЮаАзДпСаАз на
подложках СаАз и АЮаМ/СаК на
подложках сапфира А^Оз и 81С.
4.2. Оптимизация конструкции и
топологии дискретных транзисторов на
основе наногетероструктур на
подложках СаАз.
4.3. Исследование радиационной
стойкости и влияния облучения гамма-
квантами на параметры транзисторов
на основе наногетероструктур на
подложках СаАз и сапфира.
4.4. Исследование радиационной
стойкости и влияния облучения
потоком тепловых нейтронов на
параметры транзисторов на основе
наногетероструктур на подложках
ОаАз и сапфира.
4.5. Исследование статических и
частотных характеристик транзисторов
в зависимости от конструкции
радиационно-стойких
наногетероструктур.
4.6. Исследования влияния облучения
гамма-квантами на шумовые
параметры дискретных транзисторов.
Развернуть
5
01.01.2011 - 31.05.2011
5.1. Разработка технологической
инструкции изготовления образцов
наногетероструктур
АЮаАз/ГпСаАз/ОаАз методом
молекулярно-лучевой эпитаксии.
5.2. Изготовление экспериментальных
образцов монолитных интегральных
схем на основе АЮаАзЛпСаАз/СаАз и
АЮаМ/СаК на подложках сапфира
А1203.
5.3. Изготовление образцов структур
31С-А1К.
5.4. Исследование влияния облучения
гамма-квантами на структурные и
электрофизические свойства 81С-А1К.
5.5. Испытания экспериментальных
образцов монолитных интегральных
схем на радиационную стойкость при
облучении потоком
высокоэнергетических гамма-квантов.
5.6. Испытания экспериментальных
образцов монолитных интегральных
схем на радиационную стойкость при
облучении потоком нейтронов низкой
интенсивности.
5.7. Исследование морфологических и
структурно-кристаллических
характеристик образцов.
5.8. Модернизация научно-
технологического оборудования для
исследования параметров
наногетероструктур.
5.9.Разработка программы внедрения
результатов НИР в образовательный
процесс.
Развернуть
6
01.06.2011 - 31.08.2011
6.1. Обобщение результатов этапов
работ.
6.2. Анализ и выработка оптимальных
конструкций и топологий элементов
радиационно-стойких гетероструктур,
дискретных транзисторов и
монолитных интегральных схем.
6.3. Разработка проекта технических
условий (ТУ) на радиационно-стойкие
наногетеростурктуры АЗВ5.
6.4. Подготовка учебно-методических
пособий по тематике проекта.
6.5. Проведение дополнительных
исследований, в том числе патентных.
6.6. Подготовка заявок на патент по
результатам работ.
6.7. Разработка рекомендаций по
использованию полученных
результатов.
6.8. Проведение технико-
экономической оценки полученных
результатов.
Развернуть

Программа

Программа "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009 - 2013 годы

Программное мероприятие

1.1 Проведение научных исследований коллективами научно-образовательных центров
Тема
Разработка нового поколения высокоэффективных преобразователей бета-излучения в электрическую энергию на основе радиационно-стойких полупроводниковых структур
Продолжительность работ
2015 - 2016, 16 мес.
Бюджетные средства
26,7 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка метода получения и исследование многослойного магнитного материала для создания радиационно-стойкого элемента памяти.
Продолжительность работ
2012 - 2013, 18 мес.
Бюджетные средства
16,7 млн
Количество заявок
4
Тема
Создание высокоэффективных бета-вольтаических элементов питания с длительным сроком службы на основе радиационно-стойких структур
Продолжительность работ
2015 - 2017, 28 мес.
Бюджетные средства
187,5 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка базовых методов синтеза полупроводникового материала с промежуточной зоной на основе наногетероструктур с квантовыми точками германия в кремнии.
Продолжительность работ
2008 - 2009, 14 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка методов и создание средств измерений оптических параметров полупроводниковых лазеров на основе квантоворазмерных наногетероструктур.
Продолжительность работ
2011, 2 мес.
Бюджетные средства
7 млн
Количество заявок
1