Регистрация / Вход
Прислать материал

Участники проекта

Зам. руководителя работ
Иванов Сергей Викторович

Этапы проекта

1
30.09.2009 - 31.10.2009
• Разработана технология выращивания гетеропереходов InAs/InAsSbP, проведена их характеризация и компьютерное моделирование процессов в активной области, включающее процессы излучательной и безызлучательной рекомбинации, распределения тока, оптические потери, усиления и распределение оптических мод в дисковом лазере с различной геометрией резонатора.
• Изготовлены методом МОГФЭ и исследованы гетероструктуры InAs/InAsSbP.
• Изготовлены лабораторные WGM InAs/InAsSbP лазеры, и исследованы их характеристики. Созданы и изучены дисковые лазерные структуры с различными размерами активной зоны и различной формой резонатора, включая полный диск, полудиск и четверть диска. Исследовано влияние изменения формы диска на параметры генерации.
• Спроектированы перестраиваемые дисковые WGM лазеры.
• Изготовлены лабораторные образцы перестраиваемых дисковых WGM лазеров.
• Испытаны перестраиваемые дисковые WGM лазеры.
• Разработан и изготовлен стенд для спектрального анализа дисковых WGM лазеров.
Развернуть
2
01.11.2009 - 15.12.2009
• Изготовлены и оптимизированы гетероструктуры InAs /InAsSbP и проведена их характеризация и проведено компьютерное моделирование. Исследованы электролюминесцентные характеристики дисковых лазеров (вольтамперные характеристики, спектры излучения в спонтанном и когерентном режимах, мощность излучения в зависимости от тока и геометрии дискового резонатора).
• Проведено прогнозирование характеристик гетероструктур различных конфигураций с помощью компьютерного моделирования, использованы полученные результаты исследования свойств границ раздела.
• Разработана технология перестраиваемого дискового WGM InAs/InAsSbP лазера.
• Разработана программа ОКР на основании результатов НИР.
• Проведена модернизация элементов установки МОГФЭ, измерительных и исследовательских комплексов
Развернуть
3
01.01.2010 - 15.06.2010
За счет средств федерального бюджета:
3.1 Исследование нестационарных процессов срыва генеращи в мощных полупроводниковых AlGaAs/InGaAs лазерах.
3.2. Разработка методов подавления срывах
генерации в мощных многомодовых лазерах.
3.3. Разработка методик изготовления мощных AlGaAs/InGaAs лазеров с линейной ватт-амперной характеристикой.
За счет внебюджетных средств:
3.4. Модернизация установки МОГФЭ. измерительных и исследовательских комплексов.
Развернуть
4
16.06.2010 - 01.12.2010
За счет средств федерального бюджета:
4.1. Разработка и изготовление экспериментальных образцов импульсных и непрерывных AlGaAs/InGaAs лазеров с линейной ватт-амперной характеристикой.
4.2 Проведение исследований линейности ватт-амперных характеристик мощных AlGaAs/InGaAs лазеров в непрерывном и импульсном режиме генерации.
4.3. Проведение анализа результатов исследований
и сравнение достигнутых результатов с
параметрами ТЗ.
4.4. Проведение патентных исследований. Оформление заявки на патент.
За счет внебюджетных средств:
4.5. Модернизация установки МОГФЭ, измерительных и исследовательских комплексов,
Развернуть
5
01.01.2011 - 31.08.2011
За счет средств федерального бюджета:
5.1. Разработка Метода формирования массивов когерентных КТ InSb с увеличенной энергии локализации носителей (более 100 мэВ) и метода подавления эффекта сегрегации Sb при заращивании КТ.
5.2. Разработка технологии МПЭ наногетероетруктур типа II в системе AlGaAsb/InSb/Inas и диодных структур на их основе излучающих в диапазоне длин волн 3.5-5 мкм при комнатной температуре.
5.3. Разработка конструкции активной области
лазера и её теоретическое моделирование (расположение КЯ, слоев с КТ, барьеров, их толщин и составов для осуществления эффективной туннельной инжекции носителей из КЯ в КТ с целью подавления паразитных каналов рекомбинации и токовых утечек.
5.4. Получение методом МПЭ гетероструктур, светодиодные, с КТ InSb/InAs, КЯ
AlGaAsSb/InAs и сверхрешетками (СР) КТ/КЯ, в сочетании с широкозонными п-эмиттерами
CdMgSe, а также исследование их структурных, оптических и транспортных свойств.
5.5. Разработка программы и методик исследовательских испытаний лабораторных образцов.
5.6. Разработка программы внедрения результатов
НИР в образовательный процесс.
За счет внебюджетныих средств:
5.7. Модернизация установки МПЭ, измерительных
и исследовательских комплексов
Развернуть

Программа

Программа "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009 - 2013 годы

Программное мероприятие

1.1 Проведение научных исследований коллективами научно-образовательных центров
Продолжительность работ
2014 - 2016, 30 мес.
Бюджетные средства
43,5 млн
Организация
ФТИ им. А.Ф.Иоффе
профинансировано
Продолжительность работ
2009 - 2011, 24 мес.
Бюджетные средства
2 млн
Организация
ФТИ им. А.Ф.Иоффе
профинансировано
Продолжительность работ
2005, 2 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Организация
ФИАН
профинансировано
Тема
Разработка технологии получения наногетероструктур и мощных полупроводниковых лазеров на их основе, излучающих в оптическом диапазоне 1400-1600 нм.
Продолжительность работ
2014 - 2016, 28 мес.
Бюджетные средства
120 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка опытно-промышленной технологии мощных светодиодных сборок «чип на плате», излучающих в УФ диапазоне, на основе высокоэффективных наногетероструктур нитридных полупроводниковых материалов.
Продолжительность работ
2012 - 2013, 18 мес.
Бюджетные средства
95 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка базовых методов синтеза полупроводникового материала с промежуточной зоной на основе наногетероструктур с квантовыми точками германия в кремнии.
Продолжительность работ
2008 - 2009, 14 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка методов и создание средств измерений оптических параметров полупроводниковых лазеров на основе квантоворазмерных наногетероструктур.
Продолжительность работ
2011, 2 мес.
Бюджетные средства
7 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка технологии изготовления динамически управляемых полихромных светодиодных источников света с высоким индексом цветопередачи на основе полупроводниковых широкозонных наногетероструктур.
Продолжительность работ
2012 - 2013, 17 мес.
Бюджетные средства
86,8 млн
Количество заявок
1