Регистрация / Вход
Прислать материал

Детекторы ионизирующего излучения с внутренним усилением на основе полупроводниковых гетероструктур для мониторинга технологических зон ядерного производства

Информация отсутствует

Этапы проекта

1
18.11.2009 - 10.12.2009
Разработка физико-математической
модели процессов, протекающих в
однокристальной схеме детектора с
внутренним усилением (ДВУ) на р-
i-n/С гетероструктуре.
Разработка и изготовление
измерительных стендов: стенда по
измерению спектральных и
выходных характеристик
детекторов; стенда по измерению
характеристик вторичной эмиссии из
алмазных пленок.
Разработка базовых методик
выращивания и гетерирования
иттербием р-i-n GaAs структур;
выращивания микроструктурированных алмазных слоев; выращивания р-i-n/С
гетероструктур.
Развернуть
2
01.01.2010 - 31.05.2010
Выполнена разработка двух технологических маршрутов изготовления ДВУ: Si C/p-i-n ДВУ и GaAs C/p-i-n ДВУ.
Разработаны два комплекта фотошаблонов: ФШ для варианта Si C/p-i-n ДВУ и ФШ для варианта GaAs C/p-i-n ДВУ.
Изготовлены и исследованы первые экземпляры экспериментальных образцов интегральной схемы Si C/p-i-n ДВУ. Выявлена ошибка в технологических режимах имплантации и разгонки легирующей примеси (бора).
Проведены эксперименты по возможности выращивания ПАП на подложках арсениде галлия, пассивированных с двух сторон пленками молибдена, осажденных магнетронным методом. Результаты отрицательные, что связано с выбросом в ростовую камеру мышьяка в процессе роста сквозь пленку молибдена. Принято решение о реализации гибридного варианта GaAs C/p-i-n ДВУ.
Изготовлена и исследована гибридная схема GaAs C/p-i-n, конвертер которой выполнен по мембранной технологии на основе ПАП. Проведены измерения, получены основные характеристики первых экспериментальных образцов: коэффициент преобразования детектора ~ 10^4, потери в приемном окне ~ 0,3·Nвход, коэффициент преобразования p-i-n диодом ~ 0,4.
Создан стенд для калибровки и тестирования детекторов на ускорителе C-60 ФИАН.
Разработаны измерительные методики и оптимизированы стенды для измерений спектральных и выходных характеристик ДВУ, эмиссионных характеристик конвертеров на основе МПАП, кинетических коэффициентов проводимости полуизолирующих GaAs материалов.
Проведены экспериментальные исследования характеристик ДВУ.
По результатам работ опубликовано 3 статьи.
Развернуть
3
01.06.2010 - 10.12.2010
Разработка топологии СаАз схемы
предварительной обработки сигнала
с многоэлементного датчика и
комплекта фотошаблонов.
Разработка лабораторных
технологических инструкций
изготовления ОаАз схем
предварительной обработки
информации.
Изготовление экспериментальных
образцов ОаАз схем
предварительной обработки
информации.
Проведение патентных
исследований Экспериментальные исследования
характеристик ОаАз схем
предварительной обработки
информации.
Развернуть
4
01.01.2011 - 31.05.2011
Оптимизация лабораторных технологических инструкций.
Изготовление экспериментальных образцов ДВУ и GaAs схемы предварительной обработки информации. Исследование спектральных и выходных характеристик
экспериментальных образцов ДВУ
на канале ВУФ и МР ускорителя С-60 ФИАН.
Создание программы учебного курса
«Полупроводниковые детекторы
нового поколения на основе
материалов альтернативных
кремнию», использующего
результаты настоящей НИР.
Коррекция топологии схем и фотошаблонов
Развернуть
5
01.06.2011 - 25.09.2011
Разработка лабораторной технологической инструкции изготовления макета детектора со схемой предварительной обработки
информации. Разработка эскизной
конструкторской документации макета детектора со схемой предварительной обработки. Изготовление макета детектора со схемой предварительной обработки
информации. Выработка рекомендаций для
опытно-конструкторских разработок.
Разработка программы внедрения
результатов НИР в образовательный
процесс.
Исследование экспериментальных
образцов макета со схемой
предварительной обработки
информации.
Экспериментальные исследования
характеристик макета детектора со
схемой предварительной обработки
информации на ускорителе С-60
ФИАН.
Разработка проекта ТЗ на ОКР.
Развернуть

Программа

Программа "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009 - 2013 годы

Программное мероприятие

1.1 Проведение научных исследований коллективами научно-образовательных центров
Продолжительность работ
2011 - 2013, 20 мес.
Бюджетные средства
7 млн
Организация
ФГАОУ ВО НИ ТПУ
профинансировано
Продолжительность работ
2009 - 2011, 25 мес.
Бюджетные средства
1,8 млн
Организация
НИТУ "МИСиС", МИСиС
профинансировано
Тема
Разработка технологии получения материалов на основе соединений тяжелых редкоземельных металлов для полупроводниковых детекторов ионизирующих излучений.
Продолжительность работ
2013, 8 мес.
Бюджетные средства
30 млн
Количество заявок
1
Тема
Исследование биологической эффективности воздействия ионизирующего излучения на живые системы.
Продолжительность работ
2013, 8 мес.
Бюджетные средства
14 млн
Количество заявок
12
Тема
Новые самоорганизующиеся органические и элементоорганические наноматериалы для преобразования различных видов ионизирующего излучения в излучение оптического диапазона длин волн.
Продолжительность работ
2009 - 2010, 12 мес.
Бюджетные средства
15 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка базовой технологии полупроводниковых наноструктур для источников и приемников излучения систем оптического мониторинга
Продолжительность работ
2007 - 2008, 14 мес.
Бюджетные средства
100 млн
Количество заявок
1
Тема
Проведение экспериментов по физике высоких энергий в диапазоне 2-11 ГэВ, ядерной физике и исследования с синхротронным излучением на установке: "Комплекс "Электрон-позитронный накопитель ВЭПП-4- универсальный детектор КЕДР" (Комплекс ВЭПП-4) (рег. № 01-21)"
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
2,5 млн
Количество заявок
1