Регистрация / Вход
Прислать материал

Разработка физико - технологических основ ионно-лучевого получения эпитаксиальных слоев твердого раствора (SiC)1-x(AlN)x и наногетероструктур на их основе для экстремальной электроники

Информация отсутствует

Участники проекта

Зам. руководителя работ
Билалов Билал Аругович

Этапы проекта

1
18.11.2009 - 15.12.2009
Выбор направления исследований, включающий анализ научно-технической
литературы, нормативно-технической документации и других материалов,
относящихся к разрабатываемой теме.
Проведение патентных исследований по ГОСТ 15.011-96.
Разработка лабораторной технологии формирования наноразмерных пленок
твердого раствора (SiC)1-x (AIN)х заданного состава, типа проводимости с
контролируемой скоростью на подложках SiС и Al2O3 с применением ионно-
плазменных процессов
Получение наноразмерных
пленок твердого раствора
(SiC)1-x (AIN)х применением
ионно-плазменных процессов.
Проведение испытаний
наноразмерных пленок
твердого раствора (SiC)1-x (AIN)х
Изготовление испытательного
стенда для исследования
температурных зависимостей
электро- и фотопроводимости
наноразмерных пленок.
Разработка эксплуатационной
документации на стенд.
Развернуть
2
01.01.2010 - 30.06.2010
Разработка лабораторной технологии изготовления лабораторных образцов
наногетероструктур заданной конструкции на основе твердых растворов (SiC)1-х(AlN)х на подложках SiC и Al2O3 для термо - и радиационно-стойкой электроники.
Получение лабораторных образцов наногетероструктур заданной конструкции на основе твердых растворов
(SiC)1-х(AlN)х на подложках SiC
и Al2O3 для термо - и радиационно -стойкой
электроники.
Проведение испытаний лабораторных образцов наногетероструктур заданной
конструкции на основе твердых
растворов (SiC)1-х(AlN)х на
подложках SiC и Al2O3 для
термо - и радиационно-стойкой
электроники.
Разработка программы и методики испытаний
лабораторных образцов наногетероструктур заданной конструкции на основе твердых
растворов (SiC)1-х(AlN)х на подложках SiC и Al2O3
Доработка испытательного стенда для исследования температурных зависимостей
электро- и фотопроводимости наноразмерных пленок с учетом
полученных экспериментальных
результатов.
Развернуть
3
01.07.2010 - 10.12.2010
3 этап (01 июля 2010г.– 10 декабря 2010г.)
Разработка методик изготовления лабораторных образцов наногетероструктур с
активной областью из квантовых ям и барьеров с размерами в диапазоне 5÷100
нм, излучающих в ультрафиолетовой области спектра, на основе твердых растворов (SiC)1-x(AlN)х на подложках SiC и Al2O3.
Получение лабораторных образцов наногетероструктур с активной областью из
квантовых ям и барьеров.
Проведение испытаний лабораторных образцов наногетероструктур с активной
областью из квантовых ям и барьеров.
Развернуть
4
01.01.2011 - 30.06.2011
Разработка методики исследования
электрофизических параметров лабораторных образцов наногетероструктур на основе твердых растворов (SiC)1-х(АlN)х на подложках SiC и Аl2O
Разработка лабораторной технологии изготовления лабораторных образцов
дискретных оптоэлектронных приборов.
Изготовление лабораторных образцов дискретных оптоэлектронных приборов.
Разработка программы и методики испытаний
лабораторных образцов дискретных оптоэлектронных приборов на стойкость при
обработке ультрафиолетовым излучением различной интенсивности.
Развернуть
5
01.07.2011 - 31.08.2011
Разработка методики измерений излучательных характеристик дискретных
оптоэлектронных приборов. Разработка методики испытаний и оценки стойкости образцов дискретных оптоэлектронных
приборов при воздействии температуры и
ультрафиолетового излучения различной интенсивности.
Проведение испытаний лабораторных образцов дискретных оптоэлектронных
приборов.
Разработка эскизной конструкторской
документации на макет светодиода, излучающего в ультрафиолетовой области
спектра.
Изготовление макета светодиода, излучающего в ультрафиолетовой области
спектра.
Проведение испытаний макета светодиода, излучающего в ультрафиолетовой области
спектра. Анализ полученных результатов и выработка оптимальных конструкций и
топологий элементов гетероструктур и дискретных оптоэлектронных приборов.
Проведение дополнительных исследований по увеличению квантового выхода в
дискретных оптоэлектронных приборах, в том числе и патентных. Обобщение результатов этапов работ и разработка
рекомендаций по использованию полученных результатов в учебно -
образовательном процессе для создания новых учебных спецкурсов и учебно-
методических материалов по
тематике направления работ.
Модернизация измерительного стенда для
исследования параметров наногетероструктур.
Развернуть

Программа

Программа "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009 - 2013 годы

Программное мероприятие

1.1 Проведение научных исследований коллективами научно-образовательных центров
Проведение поисковых научно-исследовательских работ в области электроники и перспективных материалов в интересах высокотехнологичных секторов экономики с использованием современной экспериментальной базы : 1. Исследование интегрально-оптического модулятора на ниобате лития, выполненного на базе протонообменных канальных волноводов 2. Рентгеновские исследования планарных наноразмерных структур на основе TiO2, Al2O3 и их смесей, выращенных методом атомно-слоевого осаждения 3. Исследование процесса получения тонкопленочного покрытия для плазменных зондов 4. Исследование основных характеристик эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А3В5 и твердых растворов на их основе 5. Изучение влияния ростовых дефектов гетероэпитаксиальных слоев твердого раствора теллурида кадмия-ртути (ГЭС КРТ) на вольт-фарадные характеристики структур ГЭС КРТ/пассивирующее диэлектрическое покрытие 6. Исследование субмикронных порошков Lu1-xYxBO3:Eu,Ce методами растровой электронной микроскопии, катодолюминесценции и элементного микроанализа 7. Исследование структуры и свойств тонких пленок твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x 8. Изучение возможности использования пленки метастабильного твердого GeO как перспективного материала для нанотехнологии 9. Исследование нанокластеров кремния в пленках оксида и нитрида кремния с применением микроскопии и рентгеновского анализа 10. Синтез и изучение электрофизических свойств ультратонких углеродных пленок 11. Изучение метрологических характеристик сканирующих головок атомно-силового микроскопа, используемых для контроля технологических операций в микро- и наноэлектронике 12. Разработка криогенного фильтра низких частот на основе интегральных тонкопленочных конденсаторов
Продолжительность работ
2010, 2 мес.
Бюджетные средства
2 млн
Организация
МФТИ
профинансировано
Продолжительность работ
2010 - 2012, 30 мес.
Бюджетные средства
7,2 млн
Организация
ФТИ им. А.Ф.Иоффе
профинансировано
Тема
Метрологическое и нормативно-методическое обеспечение измерений параметров и характеристик наноструктурированных гетероэпитаксиальных структур полупроводникового твердого раствора «кадмий-ртуть-теллур» для инфракрасной техники.
Продолжительность работ
2011, 6 мес.
Бюджетные средства
7 млн
Количество заявок
1
Тема
Фундаментальные и прикладные исследования в области физики ядра, элементарных частиц, физики твердого тела, радиационной физики, лучевой терапии больных на установке: "Синхроциклотрон 1000 МэВ ПИЯФ РАН (СИНХРОЦИКЛОТРОН ПИЯФ РАН) (рег. № 01-49)"
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
3 млн
Количество заявок
1
Тема
Создание физико-технологических принципов формирования самоорганизующихся кристаллических наноструктур для функциональной электроники и сенсорики.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
3
Тема
Научно-методическое и организационно-техническое сопровождение проведения школы-семинара «Широкозонные полупроводниковые материалы для экстремальной электроники: проблемы в микро - и нанотехнологиях» в рамках Международной научной конференции «Полупроводниковые материалы для микро- и наноэлектроники».
Продолжительность работ
2008, 5 мес.
Бюджетные средства
0,5 млн
Количество заявок
0
Тема
Создание монослоев на поверхности твердого тела
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
6 млн
Количество заявок
3