Регистрация / Вход
Прислать материал

Разработка основ технологических процессов формирования пространственно-упорядоченных массивов полупроводниковых наноструктур контролируемого состава для высокоэффективных источников света, элементов солнечных батарей и детекторов излучения со сверхвысоким пространственным разрешением

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Проект закончен
Проект
02.740.11.0543
Организация
ФТИ УрО РАН
Руководитель работ
Ладьянов Владимир Иванович
Продолжительность работ
2010 - 2012, 31 мес.
Бюджетные средства
6 млн
Внебюджетные средства
1,2 млн

Информация отсутствует

Соисполнители

Организация
ФНМ

Участники проекта

Зам. руководителя работ
Валеев Ришат Галеевич

Этапы проекта

1
22.03.2010 - 15.05.2010
1.1 Анализ научно-технической литературы, нормативно-технической документации и других материалов, относящихся к разрабатываемой теме.
1.2 Определение возможных направлений решения задач, поставленных в ТЗ.
1.3 Выбор и обоснование принятого направления исследований и способов решения поставленных задач.
1.4 Разработка общей концепции проведения исследований.
1.5 Подготовка матриц пористого оксида алюминия с высокоупорядоченной структурой и контролируемым диаметром каналов.
1.6. Проведение патентных исследований по ГОСТ Р 15.011-96 на тему «Наноструктуры полупроводников изоэлектронного ряда германия в диэлектрических матрицах и матрицах широкозонного полупроводника».
1.7. Характеризация параметров матриц пористого оксида алюминия методами атомно-силовой микроскопии, просвечивающей электронной микроскопии
Развернуть
2
16.05.2010 - 15.11.2010
2.1. Разработка и оптимизация методик формирования нанокомпозитов на базе пространственно-упорядоченных наноструктур германия в матрицах пористого Al2O3 с различным размером наноструктур.
2.2 Разработка и оптимизация методик формирования нанокомпозитов на базе пространственно-упорядоченных наноструктур ZnSe и ZnS в матрицах пористого Al2O3 с различным размером наноструктур.
2.3. Разработка методик формирования пространственно-упорядоченных наноструктур ZnSe(1-x)Sx контролируемого состава с высокоупорядоченной структурой в матрицах пористого Al2O3.
2.4 Первичная характеризация структуры нанокомпозитов методами рентгеновской дифракции и сканирующей электронной микроскопии.
Развернуть
3
01.01.2011 - 15.05.2011
3.1. Исследования локальной атомной структуры методом спектроскопии рентгеновского поглощения (EXAFS);
3.2. Исследование электронной структуры методом рентгеноэлектронной спектроскопии (РФЭС),
3.3. Исследование морфологии и топографии поверхности методами сверхвысоковакуумной туннельной микроскопии (СТМ), атомно-силовой микроскопии и сканирующей электронной микроскопии (СЭМ).

3.4. Исследования структурного состояния нанокомпозитов рентгено- и электронно-дифракционными методами.
Развернуть
4
16.05.2011 - 15.11.2011
4.1. Исследования электрических и оптических характеристик нанокомпозитов и наноструктур методами ИК-спектроскопии, УФ-спектроскопии, Рамановской спектроскопии.
4.2. Установление взаимосвязи изученных свойств со структурой объема и поверхности нанокомпозитов.

4.3. Оптимизация методик синтеза и получение нанокомпозитов и наноструктур Ge с высокоупорядоченной структурой в матрицах ZnSe и ZnS.
Развернуть
5
01.01.2012 - 15.05.2012
5.1. Создание прототипов электролюминесцентных источников некогерентного излучения в УФ/видимой/ИК областях спектра на базе полученных в предыдущих этапах нанокомпозитов и наноструктур.
5.2. Исследование характеристик излучения полученных прототипов.
5.3. Проведение патентных исследований по ГОСТ Р 15.011-96 на тему «Прототипы электролюминесцентных источников некогерентного излучения в УФ/видимой/ИК областях спектра, солнечных элементов и детекторов оптического излучения».


5.4. Формирование сопутствующих элементов прототипов источников излучения (контакты, диэлектрические слои и пр.)
Развернуть
6
16.05.2012 - 01.10.2012
6.1. Создание прототипов солнечных элементов и детекторов излучения в УФ/видимой/ИК областях спектра на базе полученных в предыдущих этапах нанокомпозитов и наноструктур.
6.2. Исследование характеристик полученных прототипов.
6.3. Обобщение результатов предыдущих этапов работ. Анализ эффективности предложенных подходов.
6.4. Оценка полноты решения задач и эффективности полученных результатов в сравнении с современным научно-техническим уровнем.
6.5. Разработка программы внедрения результатов НИР в образовательный процесс.

6.6. Формирование сопутствующих элементов прототипов солнечных элементов и детекторов излучения (контакты, диэлектрические слои и пр.)
Развернуть

Программа

Программа "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009 - 2013 годы

Программное мероприятие

1.1 Проведение научных исследований коллективами научно-образовательных центров
Продолжительность работ
2010 - 2012, 24 мес.
Бюджетные средства
2,4 млн
Организация
ИПФ РАН
профинансировано
Тема
Магнитные композиционные наноматериалы на основе пространственно упорядоченных массивов анизотропных наноструктур для информационных технологий
Продолжительность работ
2007 - 2008, 18 мес.
Бюджетные средства
35,4 млн
Количество заявок
7
Тема
Разработка технологии получения полупроводниковых излучателей для создания высокоэффективных RGB источников белого света для систем освещения нового поколения.
Продолжительность работ
2008 - 2010, 27 мес.
Бюджетные средства
130 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка перспективных источников энергии на основе полупроводниковых многопереходных солнечных элементов
Продолжительность работ
2013, 8 мес.
Бюджетные средства
30 млн
Количество заявок
13
Тема
Туннельно-связанные полупроводниковые наноструктуры для эпитаксиально-интегрированных мощных источников излучения.
Продолжительность работ
2008 - 2009, 14 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Количество заявок
1
Тема
Наноструктуры для полупроводниковых лазеров и генерации ультракоротких импульсов света.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1