Регистрация / Вход
Прислать материал

Разработка и исследование наноразмерных гетероструктур для создания новых приборов спинтроники на основе магнитных сплавов полупроводников с 3d- элементами

Информация отсутствует

Участники проекта

Зам. руководителя работ
Сдобняков Виктор Владимирович

Этапы проекта

1
29.03.2010 - 31.07.2010
1.1. Анализ научно-технической иностранной и отечественной литературы по вопросам схем построения и материалов, используемых в спиновых клапанах и спиновых светоизлучающих диодах (ССИД);
1.2. Выбор вариантов принципиальной схемы ССИД по результатам анализа литературы, позволяющих преодолеть существующие трудности в их изготовлении;
1.3. Оценка ожидаемых параметров спиновых клапанов и ССИД; их сопоставление с параметрами описанных в литературе аналогов.
1.4. Выбор по результатам анализа литературы наиболее перспективного вариантов спинового клапаны или структур с гистерезисными характеристиками с привязкой к нашей технологии.
1.5. Разработка методики измерения степени циркулярной поляризации излучения ССИД применительно к выбранным вариантам.
Развернуть
2
01.08.2010 - 15.11.2010
2.1. Разработка технологии получения наноразмерных слоёв кремниевых сплавов Гейслера (КСГ) с гладкими границами на кремниевой подложке;
2.2. Отработка технологии получения туннельно прозрачных диэлектрических слоёв с обкладками из КСГ;
2.3. Отработка технологии нанесения слоев полуметаллических соединений типа MnB5 на подложки GaAs.
2.4. Подготовка учебно-методических материалов для учебного пособия по приборам спиновой электроники
Развернуть
3
01.01.2011 - 31.07.2011
3.1. Отработка технологии получения магнитно жёстких слоистых структур на основе ферромагнитных и антиферромагнитных металлов и КСГ.
3.2. Отработка эпитаксиального процесса выращивания GaAs структуры с InGaAs квантовой ямой, излучающей в выбранном диапазоне длин волн (0.9 – 1.1 мкм), и с инжектором, выполненным в виде эпитаксиального слоя полуметаллического соединения MnB5.
3.3. Проведение патентных исследований по ГОСТ 15011-96 на темы: «Способ изготовления спинового светоизлучающего диода» и «Спиновый клапан»
Развернуть
4
01.08.2011 - 15.11.2011
4.1. Исследование продольного и поперечного транспорта тока в туннельно-прозрачных структурах на основе КСГ;
4.2. Исследование возможности получения структур с гигантским магнетосопротивлением (ГМС) для устройств считывания информации с жёстких дисков;
4.3. Изготовление моделей ССИД InGaAs/GaAs с инжектором, выполненным в виде эпитаксиального слоя полуметаллического соединения MnB5.
4.4. Отработка комплексной методики испытаний спиновых клапанов и ССИД.
Развернуть
5
01.01.2012 - 31.05.2012
5.1. Разработка технологии получения структур с гистерезисными ВАХ для элементов безмеханической памяти;
5.2. Проведение исследований моделей ССИД и гистерезисных структур, изготовленных по разработанной технологии, обработка данных;
5.3. Корректировка разработанного технологического процесса и схемы приборов (ССИД) и гистерезисных структур по результатам испытаний;
5.4. Изготовление и исследование моделей ССИД и гистерезисных структур, изготовленных по скорректированной технологии.
5.5. Исследование возможности создания ССИД структур с туннельным инжектором.
Развернуть
6
01.06.2012 - 18.10.2012
6.1. Обобщение результатов 1 - 5 этапов работ. Оценка полноты решения задач и эффективности полученных результатов в сравнении с современным научно-техническим уровнем;
6.2. Оценка возможности создания конкурентоспособных приборов (спинового клапана и спинового светодиода), разработка рекомендаций по использованию результатов проведенной НИР;
6.3. Разработка программы внедрения результатов НИР в образовательный процесс.
6.4. Проведение дополнительных исследований.
Развернуть

Программа

Программа "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009 - 2013 годы

Программное мероприятие

1.1 Проведение научных исследований коллективами научно-образовательных центров
Продолжительность работ
2012 - 2013, 13 мес.
Бюджетные средства
1,17 млн
Организация
ИПХФ РАН
профинансировано
Продолжительность работ
2011 - 2012, 17 мес.
Бюджетные средства
0,5 млн
Организация
ДВФУ
профинансировано
Продолжительность работ
2005 - 2006, 14 мес.
Бюджетные средства
6,2 млн
профинансировано
Продолжительность работ
2007, 5 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Организация
ФИАН
профинансировано
Тема
Полупроводниковые и металлические магнитные наноструктуры для спинтроники
Продолжительность работ
2007 - 2008, 18 мес.
Бюджетные средства
30 млн
Количество заявок
6
Тема
Дискретные сплавы и двухфазные системы для спинтроники
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
6,2 млн
Количество заявок
2
Тема
Создание метрологического комплекса и нормативно-методической базы для обеспечения единства измерений оптических характеристик излучателей на основе полупроводниковых многослойных наноразмерных гетероструктур (светодиодов).
Продолжительность работ
2008 - 2009, 14 мес.
Бюджетные средства
35 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка опытно-промышленной технологии получения наноразмерных гетероструктур для изготовления чипов светодиодов с длиной волны излучения 360-370 нм, а также приборов для очистки и дезинфекции воздуха на их основе.
Продолжительность работ
2009 - 2011, 24 мес.
Бюджетные средства
100 млн
Количество заявок
1
Тема
Концентрированные магнитные полупроводники как рабочая среда для логических и запоминающих устройств спинтроники.
Продолжительность работ
2008 - 2009, 14 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
1