Регистрация / Вход
Прислать материал

Исследование радиационно-физических процессов в широкозонных полупроводниках на основе нитрида галлия для создания современных радиационно-стойких материалов и приборов

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Проект закончен
Проект
02.740.11.0814
Руководитель работ
Колин Николай Георгиевич
Продолжительность работ
2010 - 2012, 31 мес.
Бюджетные средства
12 млн
Внебюджетные средства
2,4 млн

Информация отсутствует

Соисполнители

Организация
ИАТЭ

Участники проекта

Зам. руководителя работ
Бойко Владимир Михайлович

Этапы проекта

1
24.04.2010 - 31.08.2010
1.1 Анализ научно-технической литературы, нормативно-технической документации и других материалов по влиянию ионизирующего излучения на свойства нитрида галлия.
1.2 Выбор и обоснование принятого направления исследований и способов решения поставленных задач.
1.3 Сопоставление ожидаемых показателей радиационной стойкости нитрида галлия с другими полупроводниковыми соединениями AIIIBV (GaAs, InP, InSb, InAs).
1.4 Проведение патентных исследований по ГОСТ 15.011-96.
Развернуть
2
01.09.2010 - 10.12.2010
2.1 Разработка методики измерения электрофизических свойств тонкопленочных образцов нитрида галлия.
2.2 Разработка методики измерения структурных свойств тонкопленочных образцов нитрида галлия.
2.3 Исследование емкостных параметров исходных образцов (диодов Шоттки) на основе GaN с различной плотностью дислокаций.
2.4 Исследование параметров исходных эпитаксиальных слоев AlGaN.
2.5 Исследование параметров исходных МДП-структур на основе GaN, AlGaN/GaN.

2.6 Исследование параметров исходных структур гетеропереходов AlGaN/GaN.
Развернуть
3
01.01.2011 - 31.05.2011
3.1 Проведение расчета эффективности введения легирующих примесей в процессе облучения нитрида галлия полным спектром реакторных нейтронов в широком диапазоне флюенсов на основе ядерно-физических свойств материалов.
3.2 Проведение расчета количества первичных радиационных дефектов, образующихся в GaN при облучении в реакторе ВВР-ц.
3.3 Разработка методики облучения образцов GaN в ядерном реакторе ВВР-ц.
3.4 Разработка методики пострадиационной обработки образцов.
3.5 Проведение облучения экспериментальных образцов нейтронами ядерного реактора.
Развернуть
4
01.06.2011 - 10.12.2011
4.1 Проведение электрофизических и структурных исследований параметров образцов нитрида галлия с различным значением концентрации исходной примеси, облученных в широком диапазоне флюенсов полного спектра реакторных нейтронов.
4.2 Исследование электрофизических и емкостных параметров эпитаксиальных слоев на основе GaN с различной плотностью дислокаций облученных быстрыми нейтронами реактора.
4.3 Исследование электрофизических и емкостных параметров эпитаксиальных слоев AlGaN облученных быстрыми нейтронами реактора.
4.4 Постановка лабораторной работы по измерению электрофизических свойств тонкопленочных образцов нитрида галлия.
4.5 Исследование электрофизических и емкостных параметров структур гетеропереходов AlGaN/GaN облученных быстрыми нейтронами реактора.
Развернуть
5
01.01.2012 - 30.06.2012
5.1 Разработка методики термообработки облученных образцов.
5.2 Исследование влияния термообработки на электрофизические, емкостные и структурные свойства облученных образцов нитрида галлия.
5.3. Постановка лабораторной работы по измерению структурных свойств тонкопленочных образцов нитрида галлия.
5.4 Исследование влияния термообработки на свойства облученных структур гетеропереходов AlGaN/GaN.
Развернуть
6
01.07.2012 - 05.11.2012
6.1 Разработка модели облученных полупроводников GaN, AlN и твердых растворов на их основе.
6.2 Обобщение результатов предыдущих этапов работ. Оценка полноты решения задач и эффективности полученных результатов в сравнении с современным научно-техническим уровнем.
6.3 Разработка программы внедрения результатов НИР в образовательный процесс.
6.4 Разработка научно-методических материалов для учебно-методического пособия по курсу «Физическое материаловедение».
6.5 Оценка возможности создания конкурентоспособной продукции и услуг, разработка рекомендаций по использованию результатов НИР.
Развернуть

Программа

Программа "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009 - 2013 годы

Программное мероприятие

1.1 Проведение научных исследований коллективами научно-образовательных центров
Тема
Разработка технологии и оборудования для обеспечения производства подложек нитрида галлия приборов электроники и оптоэлектроники на основе широкозонных полупроводников.
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка конструкторско-технологических решений создания электронной компонентной базы на широкозонных полупроводниках для современной радиоэлектронной аппаратуры в диапазоне частот 30-60 ГГц
Продолжительность работ
2014 - 2016, 25 мес.
Бюджетные средства
44,1 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка темплейтов нитрида галлия на подложках кремния для приборов оптической и СВЧ электроники.
Продолжительность работ
2011 - 2012, 14 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
3
Тема
Разработка метода получения и исследование многослойного магнитного материала для создания радиационно-стойкого элемента памяти.
Продолжительность работ
2012 - 2013, 18 мес.
Бюджетные средства
16,7 млн
Количество заявок
4
Тема
Создание высокоэффективных бета-вольтаических элементов питания с длительным сроком службы на основе радиационно-стойких структур
Продолжительность работ
2015 - 2017, 28 мес.
Бюджетные средства
187,5 млн
Количество заявок
1