Регистрация / Вход
Прислать материал

Наногетероструктуры магнитных полупроводников A3B5 – A2B6 для магнито-электроники нового поколения

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Проект закончен
Проект
02.740.11.0850
Организация
ФТИ им. А.Ф.Иоффе
Руководитель работ
Торопов Алексей Акимович

Выполнение НИР должно обеспечивать достижение научных результатов мирового уровня, подготовку и закрепление в сфере науки и образования научных и научно-педагогических кадров, формирование эффективных и жизнеспособных научных коллективов, развитие международного сотрудничества в научно-технической сфере

Участники проекта

Зам. руководителя работ
Сорокин Алексей Акимович

Этапы проекта

1
28.06.2010 - 30.11.2010
1.1. Анализ научно-технической литературы по теме проекта.
1.2. Обоснование выбранного направления исследований и способов достижения поставленных целей проекта.
1.3. Разработка компьютерной программы, реализующей вариационные методы расчета экситонного спектра гетероструктур с квантовыми ямами.
1.4. Теоретическое моделирование экситонного спектра в гетеровалентных квантовых ямах (Al,Ga)As/ (Zn,Cd,Mn)Se в зависимости от величины разрыва зон (валентной и проводимости) на интерфейсе, химического состава слоев, а также электрического и магнитного поля.
1.5. Разработка программы и методик исследовательских испытаний тестовых гетероструктур с квантовыми ямами
1.6. Разработка базовой методики изготовления гетеровалентных структур GaAs/ZnSe методом МПЭ.
1.7.Проведение патентного исследования в соответствии с ГОСТ Р 15.011-96.
1.8. Оптимизация установки молекулярно-пучковой эпитаксии для роста гетеровалентных структур 1.5
Развернуть
2
01.01.2011 - 15.06.2011
2.1. Разработка методики изготовления гетеро-валентных квантовых ям AlGaAs/GaAs/Zn(Cd,Mn)Se методом МПЭ.
2.2. Изготовление лабораторных образцов тестовых структур гетеровалентных квантовых ям AlGaAs/GaAs/ Zn(Cd,Mn)Se.
2.3. Проведение измерений спектров экситонной люминесценции гетеровалентных квантовых ям AlGaAs/ GaAs/ Zn(Cd,Mn)Se.
2.4. Проведение анализа спектров экситонной люминесценции тестовых струткур, определение структурного качества и зонных параметров в зависимости от режимов роста гетеровалентного интерфейса.
2.5. Модернизация элементов измерительных и исследовательских комплексов.
Развернуть
3
16.06.2011 - 30.11.2011
3.1. Теоретическое моделирование конструкции структуры, осуществляющей спиновую инжекцию.
3.2. Изготовление методом МПЭ лабораторных образцов структур, включающих в области А2В6 - Zn(Cd)MnSe парамагнитный инжектор фотовозбужденных спин-поляризованных электронов, а в области А3В5 - GaAs/AlGaAs квантовую яму.
3.3. Изготовление методом МПЭ лабораторных образцов структур, включающих в области А2В6 - Zn(Cd)MnSe парамагнитный инжектор фотовозбужденных спин-поляризованных электронов, а в области А3В5 - InAs/(Al)GaAs квантовые точки.
3.4. Разработка программы и методики спектральных исследований циркулярно-поляризованной магнито-фотолюминесценции.
3.5. Исследование циркулярно-поляризованных спектров фотолюминесценции при приложении внешнего магнитного поля в структурах со спиновой инжекцией.
3.6. Проведение анализа параметров спиновой динамики в структурах со спиновой инжекцией по результатам магнитооптических исследований.
3.7. Модернизация элементов МПЭ реактора.
Развернуть
4
01.01.2012 - 15.06.2012
4.1. Разработка методики изготовления лабораторных образцов тестовых структур AlGaAs/GaMnAs/ZnMnSe, содержащих магнитный двумерный дырочный канал проводимости, методом МПЭ.
4.2. Изготовление методом МПЭ лабораторных образцов тестовых структур AlGaAs/ GaMnAs/ZnMnSe, содержащих магнитный двумерный дырочный канал проводимости.
4.3. Исследование магниторезистивных и Холловских характеристик лабораторных образцов тестовых структур AlGaAs/ GaMnAs/ZnMnSe;
4.4. Проведение анализа результатов магнито-транспортных измерений тестовых структур AlGaAs/ GaMnAs/ZnMnSe, определение магнитных свойств двумерного канала в зависимости от температуры и внешнего магнитного поля
4.5. Модернизация элементов установки МПЭ и измерительных и исследовательских комплексов
Развернуть
5
16.06.2012 - 15.12.2012
5.1. Теоретическое моделирование конструкции AlGaAs/GaMnAs/ZnMnSe/ ZnSe гетеровалентного спинового полевого транзистора.
5.2. Разработка методики изготовления лабораторных образцов AlGaAs/GaMnAs/ ZnMnSe/ ZnSe гетеровалентного спинового полевого транзистора.
5.3. Изготовление лабораторных образцов структуры AlGaAs/GaMnAs/ ZnMnSe/ZnSe гетеровалентного спинового полевого транзистора.
5.4. Разработка программы и методики магнито-электрических исследовательских испытаний лабораторных образцов спинового полевого транзистора.
5.5. Проведение исследований магнито-электрических характеристик изготовленных лабораторных образцов спинового полевого транзистора в зависимости от температуры и внешнего магнитного поля;
5.6. Оценка результатов исследований и сравнение достигнутых результатов с параметрами ТЗ;
5.7. Разработка программы внедрения результатов НИР в образовательный процесс.
5.8. Модернизация элементов установки МПЭ и измерительных и исследовательских комплексов
Развернуть

Программа

Программа "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009 - 2013 годы

Программное мероприятие

1.1 Проведение научных исследований коллективами научно-образовательных центров
Продолжительность работ
2007, 7 мес.
Бюджетные средства
2 млн
Организация
ИОНХ РАН
профинансировано
Продолжительность работ
2010 - 2012, 30 мес.
Бюджетные средства
10,5 млн
Организация
ИСАН
профинансировано
Тема
«Проведение научных исследований коллективами научно-образовательных центров, принимающих участие в 7-й Рамочной Программе Евросоюза в области технических и естественных наук»
Продолжительность работ
2010 - 2012, 30 мес.
Бюджетные средства
15 млн
Количество заявок
67
Тема
«Проведение научных исследований коллективами научно-образовательных центров в области cистемной биологии, биоинформатики и промышленной биотехнологии совместно с научными организациями Германии».
Продолжительность работ
2010 - 2012, 29 мес.
Бюджетные средства
15 млн
Количество заявок
30
Тема
Проведение научных исследований коллективами научно-образовательных центров совместно с малыми инновационными предприятиями в области энергосбережения
Продолжительность работ
2010 - 2012, 28 мес.
Бюджетные средства
15 млн
Количество заявок
72
Тема
Проведение научных исследований коллективами научно-образовательных центров совместно с малыми инновационными предприятиями в области информационно-телекоммуникационных технологий
Продолжительность работ
2010 - 2012, 28 мес.
Бюджетные средства
15 млн
Количество заявок
65
Тема
Проведение научных исследований коллективами научно-образовательных центров совместно с малыми инновационными предприятиями в области высокотехнологичной медицинской техники
Продолжительность работ
2010 - 2012, 28 мес.
Бюджетные средства
15 млн
Количество заявок
52