Наногетероструктуры магнитных полупроводников A3B5 – A2B6 для магнито-электроники нового поколения

1.1. Анализ научно-технической литературы по теме проекта.
1.2. Обоснование выбранного направления исследований и способов достижения поставленных целей проекта.
1.3. Разработка компьютерной программы, реализующей вариационные методы расчета экситонного спектра гетероструктур с квантовыми ямами.
1.4. Теоретическое моделирование экситонного спектра в гетеровалентных квантовых ямах (Al,Ga)As/ (Zn,Cd,Mn)Se в зависимости от величины разрыва зон (валентной и проводимости) на интерфейсе, химического состава слоев, а также электрического и магнитного поля.
1.5. Разработка программы и методик исследовательских испытаний тестовых гетероструктур с квантовыми ямами
1.6. Разработка базовой методики изготовления гетеровалентных структур GaAs/ZnSe методом МПЭ.
1.7.Проведение патентного исследования в соответствии с ГОСТ Р 15.011-96.
1.8. Оптимизация установки молекулярно-пучковой эпитаксии для роста гетеровалентных структур 1.5

2.1. Разработка методики изготовления гетеро-валентных квантовых ям AlGaAs/GaAs/Zn(Cd,Mn)Se методом МПЭ.
2.2. Изготовление лабораторных образцов тестовых структур гетеровалентных квантовых ям AlGaAs/GaAs/ Zn(Cd,Mn)Se.
2.3. Проведение измерений спектров экситонной люминесценции гетеровалентных квантовых ям AlGaAs/ GaAs/ Zn(Cd,Mn)Se.
2.4. Проведение анализа спектров экситонной люминесценции тестовых струткур, определение структурного качества и зонных параметров в зависимости от режимов роста гетеровалентного интерфейса.
2.5. Модернизация элементов измерительных и исследовательских комплексов.

3.1. Теоретическое моделирование конструкции структуры, осуществляющей спиновую инжекцию.
3.2. Изготовление методом МПЭ лабораторных образцов структур, включающих в области А2В6 - Zn(Cd)MnSe парамагнитный инжектор фотовозбужденных спин-поляризованных электронов, а в области А3В5 - GaAs/AlGaAs квантовую яму.
3.3. Изготовление методом МПЭ лабораторных образцов структур, включающих в области А2В6 - Zn(Cd)MnSe парамагнитный инжектор фотовозбужденных спин-поляризованных электронов, а в области А3В5 - InAs/(Al)GaAs квантовые точки.
3.4. Разработка программы и методики спектральных исследований циркулярно-поляризованной магнито-фотолюминесценции.
3.5. Исследование циркулярно-поляризованных спектров фотолюминесценции при приложении внешнего магнитного поля в структурах со спиновой инжекцией.
3.6. Проведение анализа параметров спиновой динамики в структурах со спиновой инжекцией по результатам магнитооптических исследований.
3.7. Модернизация элементов МПЭ реактора.

4.1. Разработка методики изготовления лабораторных образцов тестовых структур AlGaAs/GaMnAs/ZnMnSe, содержащих магнитный двумерный дырочный канал проводимости, методом МПЭ.
4.2. Изготовление методом МПЭ лабораторных образцов тестовых структур AlGaAs/ GaMnAs/ZnMnSe, содержащих магнитный двумерный дырочный канал проводимости.
4.3. Исследование магниторезистивных и Холловских характеристик лабораторных образцов тестовых структур AlGaAs/ GaMnAs/ZnMnSe;
4.4. Проведение анализа результатов магнито-транспортных измерений тестовых структур AlGaAs/ GaMnAs/ZnMnSe, определение магнитных свойств двумерного канала в зависимости от температуры и внешнего магнитного поля
4.5. Модернизация элементов установки МПЭ и измерительных и исследовательских комплексов

5.1. Теоретическое моделирование конструкции AlGaAs/GaMnAs/ZnMnSe/ ZnSe гетеровалентного спинового полевого транзистора.
5.2. Разработка методики изготовления лабораторных образцов AlGaAs/GaMnAs/ ZnMnSe/ ZnSe гетеровалентного спинового полевого транзистора.
5.3. Изготовление лабораторных образцов структуры AlGaAs/GaMnAs/ ZnMnSe/ZnSe гетеровалентного спинового полевого транзистора.
5.4. Разработка программы и методики магнито-электрических исследовательских испытаний лабораторных образцов спинового полевого транзистора.
5.5. Проведение исследований магнито-электрических характеристик изготовленных лабораторных образцов спинового полевого транзистора в зависимости от температуры и внешнего магнитного поля;
5.6. Оценка результатов исследований и сравнение достигнутых результатов с параметрами ТЗ;
5.7. Разработка программы внедрения результатов НИР в образовательный процесс.
5.8. Модернизация элементов установки МПЭ и измерительных и исследовательских комплексов