Спектроскопия полупроводниковых наносистем с субпикосекундным разрешением

1.1 Исследование спектров фотолюминесценции (ФЛ) в гетероструктурах GaAsSb/GaAs и GaAsSb/AlGaAs.

1.2 Исследование кинетики релаксации фотолюминесценции (ФЛ) в гетероструктурах GaAsSb/GaAs и GaAsSb/AlGaAs c целью определения типа (прямых или непрямых в реальном пространстве) оптических переходов.

1.3 Проведение семинара “ Поляритонные локальные моды и супермоды в планарных микрорезонаторах ”

2.1 Исследование зависимости времени релаксации терагерцовой фотопроводимости от электрического поля в гетероструктурах с мелкими примесями n-GaAs/InGaAsP, p-Ge/GeSi.

2.2 Исследование зависимости времени релаксации терагерцовой фотопроводимости от электрического поля в гетероструктурах с мелкими примесями в объемном p-Ge.

2.3 Проведение семинара “Кинетика релаксации фотолюминесценции в гетероструктурах GaAsSb/GaAs и GaAsSb/AlGaA”

3.1 Исследование динамики возгорания стимулированного излучения в полупроводниковых лазерах с квантовыми ямами под воздействием фемтосекундной оптической накачки.

3.2 Разработка программы внедрения результатов НИР в образовательный процесс.

3.3 Проведение семинара “Квантовые биения в микрорезонаторах ”

4.1 Исследование механизмов релаксации фотовозбужденных носителей в гетероструктурах InGaAs/GaAs и AlGaAs/GaAs с квантовыми ямами.

4.2 Проведение патентных исследований.

4.3 Проведение семинара “Mеханизмы релаксации фотовозбужденных носителей в гетероструктурах на основе GaAs с квантовыми ямами”