Регистрация / Вход
Прислать материал

Достижение высокой температурной стабильности лазеров за счет подавления рекомбинации носителей вне квантоворазмерной активной области

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Проект закончен
Проект
02.740.11.5161
Продолжительность работ
2010 - 2011, 20 мес.
Бюджетные средства
2,5 млн
Внебюджетные средства
0 млн

Информация отсутствует

Участники проекта

Зам. руководителя работ
Жуков Алексей Евгеньевич

Этапы проекта

1
15.03.2010 - 15.12.2010
1.1. Проведение патентных исследований.
1.2. Создание теоретической модели, описывающей подавление рекомбинации носителей заряда вне квантоворазмерной активной области инжекционного лазера с помощью асимметричных потенциальных барьеров для носителей заряда.
1.3. Определение послойного состава полупроводниковой A3B5 структуры с асимметричными потенциальными барьерами для носителей заряда
1.4. Разработка конструкции инжекционного лазера с квантоворазмерной активной областью и асимметричными потенциальными барьерами для носителей заряда, позволяющей повысить температурную стабильность характеристик
1.5. Проведение семинара по теме: «Инжекционные лазеры на основе III-V материалов»
1.6. Проведение семинара по теме: «Влияние размерного квантования на характеристики лазеров»
Развернуть
2
01.01.2011 - 30.06.2011
2.1. Изготовление методом молекулярно-пучковой
эпитаксии экспериментальных образцов
полупроводниковых структур с квантоворазмерной
активной областью и асимметричными потенциальными
барьерами для носителей заряда
2.2. Изготовление экспериментальных образцов лазерных
диодов на основе полупроводниковых структур с
квантоворазмерной активной областью и
асимметричными потенциальными барьерами для
носителей заряда
2.3. Исследование характеристик экспериментальных
образцов лазерных диодов и определение их
температурной стабильности.
2.4. Проведение семинара по теме: «Температурная
стабильность лазерных диодов»
Развернуть
3
01.07.2011 - 15.11.2011
3.1. Сравнения характеристик экспериментальных
образцов лазерных диодов с традиционными образцами
лазерных диодов и с результатами моделирования
3.2. Разработка программы внедрения результатов
исследований в образовательный процесс СПб АУ
НОЦНТ РАН.
3.3. Обобщение и оценка полученных результатов
исследований. Разработка рекомендаций по
использованию результатов проведенных НИР.
3.4. Проведение семинара по теме: «Управление длиной
волны излучения полупроводниковых лазеров»
Развернуть

Программа

Программа "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009 - 2013 годы

Программное мероприятие

1.5 Проведение научных исследований коллективами под руководством приглашенных исследователей
Тема
Разработка методов и создание средств измерений оптических параметров полупроводниковых лазеров на основе квантоворазмерных наногетероструктур.
Продолжительность работ
2011, 2 мес.
Бюджетные средства
7 млн
Количество заявок
1
Тема
Генотерапия СПИДа с помощью РНК-интерференции: создание эффективно работающих генетических конструкций для подавления продукции ВИЧ-1 в клетках человека
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
3 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка методов подавления или стимуляции роста кровеносных сосудов с помощью рекомбинантных белков и модифицированных клеток, продуцирующих ангиогенные белки.
Продолжительность работ
2011 - 2012, 21 мес.
Бюджетные средства
18 млн
Количество заявок
5
Тема
Исследования и разработки процесса получения и использования многофункциональных пленочных материалов, проявляющих адгезионные свойства без температурной и химической активации, для производства швейных изделий
Продолжительность работ
2013, 8 мес.
Бюджетные средства
30 млн
Количество заявок
13
Тема
Научно-технологическая база для создания энергетических лазеров нового поколения на основе плазменно-пылевых структур.
Продолжительность работ
2008 - 2009, 14 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Количество заявок
1