Оптимизация свойств оксидных пленок для применения в 3D энергонезависимой памяти с наноразмерным масштабом компонентов

1.1. Анализ научно-технической литературы, нормативно-технической документации и других материалов, относящихся к разрабатываемой теме. Составление сводной таблицы основных параметров существующих:
1.2. Элементов памяти на основе униполярного переключения.
1.3. Элементов памяти на основе биполярного переключения.
1.4. Элементов тонкопленочных p-n гетеропереходов.
1.5. Элементов ячеек памяти на основе пленок мультиферроиков.
1.6. Проведение патентных исследований по ГОСТ 15.011-96.
1.7. Выбор и обоснование принятого направления исследований и способов решения поставленных задач, семинары с участием приглашенного руководителя.
1.8. Составление списка доступного оборудования на территории Королевского технологического института (КТИ И ПетрГУ) для проведения исследований. Анализ целесообразности его использования исходя из экономических и временных критериев.
1.9. Определение необходимого оборудования и планирование последовательности изготовления образцов:
1.10. Элементов памяти на основе униполярного переключения.
1.11. Элементов памяти на основе биполярного переключения.
1.12. Элементов тонкопленочных p-n гетеропереходов.
1.13. Элементов ячеек памяти на основе пленок мультиферроиков.
1.14. Составление промежуточного отчета и его рассмотрение.
1.15. Проведение научного семинара по теме «Мультиферроики: получение, свойства и применение».

2.1. Синтез и экспериментальное изучение МОМ структур на основе бинарных и многокомпонентных оксидов с униполярным переключением. Разработка модели переключения (механизм роста и разрушения металлического шнура в оксидной матрице).
2.2. Синтез и экспериментальное изучение МОМ структур с двойным оксидным слоем с биполярным переключением. Разработка модели переключения (механизм модификации свойств резистивного слоя в результате инициирования ионного транспорта).
2.3. Отработка низкотемпературных технологических приемов получения оксидных структур с параметрами переключения, оптимальными для использования в ячейках 3D памяти.
2.4. Сопоставление измеренных параметров структур с параметрами известных аналогов, если таковые имеются.
2.5. Проведение научного семинара по теме «Модельные представления явления электрического переключения с памятью».

3.1. Изготовление экспериментальных образцов ячеек памяти на основе униполярного и биполярного резистивного переключения.
3.2. Испытание экспериментальных образцов ячеек памяти на основе униполярного и биполярного резистивного переключения.
3.3. Синтез и экспериментальное изучение диодных p-n оксидных гетероструктур.
3.4. Отработка низкотемпературных технологических приемов получения диодных p-n оксидных гетероструктур с операционными параметрами, оптимальными для использования в качестве элемента доступа в ячейках 3D памяти.
3.5. Изготовление экспериментальных образцов диодных p-n оксидных гетероструктур-элементов доступа в ячейках 3D памяти.
3.6. Испытание экспериментальных образцов диодов-элементов доступа.
3.7. Проведение научного семинара по теме «Технологии изготовления структур микро- и нано масштаба».

4.1. Синтез и экспериментальное изучение мультиферроидных гетероструктур.
  4.2. Разработка моделей управления спиновым и электронным упорядочением в мультиферроидных гетероструктурах.
4.3. Разработка конструкции ячейки памяти на основе мультиферроидных гетероструктур.
4.4. Изготовление экспериментальных образцов ячеек памяти на основе мультиферроидных гетероструктур.
4.5. Испытание экспериментальных образцов ячеек памяти на основе мультиферроидных гетероструктур.
4.6. Обобщение результатов предыдущих этапов работ по созданию:
- Элементов памяти на основе униполярного переключения.
- Элементов памяти на основе биполярного переключения.
- Элементов тонкопленочных p-n гетеропереходов.
- Элементов ячеек памяти на основе пленок мультиферроиков.
4.7. Разработка рекомендаций и программы внедрения реультатов проведенных НИР в учебный процесс и на производстве.
4.8. Проведение научного семинара по теме «Перспективы оксидной электроники».