Регистрация / Вход
Прислать материал

Разработка технологии получения нового полупроводникого материала с промежуточной зоной и фотопреобразователей солнечной энергии на основе наногетероструктур Ge-Si с широкой спектральной характеристикой

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Проект закончен

Информация отсутствует

Этапы проекта

1
23.07.2009 - 25.11.2009
2
01.01.2010 - 25.10.2010
3
01.01.2011 - 25.08.2011

Программа

Программа "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009 - 2013 годы

Программное мероприятие

1.2.1 Проведение научных исследований научными группами под руководством докторов наук
Тема
Разработка фотопреобразователя солнечной энергии в молекулярный водород на основе гибридных комплексов фотосистемы 1, гидрогеназы и неорганических наночастиц.
Продолжительность работ
2011 - 2012, 16 мес.
Бюджетные средства
8 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка базовых методов синтеза полупроводникового материала с промежуточной зоной на основе наногетероструктур с квантовыми точками германия в кремнии.
Продолжительность работ
2008 - 2009, 14 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Количество заявок
1
Тема
Новые наногетероструктуры ферромагнетик-полупроводник и ферромагнетик-антиферромагнетик для создания базовых элементов спинтроники.
Продолжительность работ
2008 - 2009, 14 мес.
Бюджетные средства
5 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка перспективных источников энергии на основе полупроводниковых многопереходных солнечных элементов
Продолжительность работ
2013, 8 мес.
Бюджетные средства
30 млн
Количество заявок
13
Тема
Разработка высокоэффективных солнечных фотоэлектрических элементов на нитридах металлов III группы для создания серийного производства фотоэлектрических модулей с концентрацией солнечной энергии.
Продолжительность работ
2012 - 2013, 20 мес.
Бюджетные средства
100 млн
Количество заявок
1