Регистрация / Вход
Прислать материал

Разработка конструкции магниторезистивного элемента запоминающего устройства

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Проект закончен
Проект
09-П417
Организация
ИФМ РАН

Информация отсутствует

Этапы проекта

1
30.07.2009 - 30.11.2009
2
01.01.2010 - 05.11.2010
3
01.01.2011 - 05.08.2011

Программа

Программа "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009 - 2013 годы

Программное мероприятие

1.2.2 Проведение научных исследований научными группами под руководством кандидатов наук
Продолжительность работ
2008 - 2009, 14 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Организация
НИЯУ МИФИ
профинансировано
Продолжительность работ
2012 - 2013, 15 мес.
Бюджетные средства
7,6 млн
Организация
АО "ЗНТЦ"
профинансировано
Продолжительность работ
2010 - 2012, 30 мес.
Бюджетные средства
3,6 млн
Организация
МИЭТ
профинансировано
Тема
«Разработка перспективных технологий и конструкций изделий интеллектуальной силовой электроники для применения в аппаратуре промышленного применения и в специальных системах (магниторезистивная микросистема контроля силы тока)».
Продолжительность работ
2012 - 2013, 18 мес.
Бюджетные средства
18 млн
Количество заявок
1
Тема
Концентрированные магнитные полупроводники как рабочая среда для логических и запоминающих устройств спинтроники.
Продолжительность работ
2008 - 2009, 14 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка и организация серийного производства датчиков на основе наноразмерных магниторезистивных структур.
Продолжительность работ
2011 - 2013, 26 мес.
Бюджетные средства
150 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка методов получения магнитополяронных наноструктур и создание на их основе наноустройств спинтроники.
Продолжительность работ
2011 - 2012, 17 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
3
Тема
Разработка наномодифицированных композитных материалов для элементов мостовых конструкций и ремонта их деформационных швов
Продолжительность работ
2013, 5 мес.
Бюджетные средства
40 млн
Количество заявок
7