Разработка нового поколения высокоэффективных преобразователей бета-излучения в электрическую энергию на основе радиационно-стойких полупроводниковых структур
Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Проект закончен
Проект
14.578.21.0103
Организация
МФТИ
Руководитель работ
Батурин Андрей Сергеевич
Продолжительность работ
2015 - 2016, 16 мес.
Бюджетные средства
26,7 млн
Внебюджетные средства
19 млн
Конкурс
Разработка нового поколения высокоэффективных преобразователей бета-излучения в электрическую энергию на основе радиационно-стойких полупроводниковых структур
Разработка технологии создания преобразователей энергии ионизирующего бета-излучения в электрическую энергию прямого действия на основе радиационно-стойких широкозонных полупроводниковых структур для использования в составе автономных радиационно-стимулированных бета-вольтаических элементов питания различного назначения, обеспечивающей увеличение КПД преобразование не менее чем на 50% по сравнению с существующими аналогами.
Настоящие ПНИ являются составной частью комплексного проекта ПНИЭР по теме: «Создание высокоэффективных бета-вольтаических элементов питания с длительным сроком службы на основе радиационно-стойких структур» (шифр 2015-14-582-0033).
Этапы проекта
1
19.08.2015 - 31.12.2015
Разработана математическая модель функционирования полупроводникового преобразователя энергии. Проведены расчеты оптимальной схемы коммутации преобразователя в элементе питания в зависимости от технологических параметров преобразователя. Разработан метод формирования тонких слоев широкозонных полупроводниковых материалов с использованием метода ионной имплантации.Разработана конструкторская документация для изготовления экспериментальных образцов преобразователей и для изготовления пластин-заготовок. Изготовлены экспериментальные образцы пластин-заготовок для преобразователей энергии бета-излучения.
2
01.01.2016 - 30.06.2016
Разработан технологический процесс изготовления преобразователей энергии ионизирующего бета-излучения в электрическую энергию прямого действия на основе радиационно-стойких полупроводниковых структур.Изготовлены экспериментальные образцы преобразователей энергии.
3
01.07.2016 - 31.12.2016
Разработан техпроцесс изготовления полупроводниковых преобразователей энергии Изготовлены экспериментальные образцы преобразователей энергии Разработаны технические требования и предложения по организации производства преобразователей энергии для изготовления элементов питания на их основе. Выполнена оценка срока службы преобразователей энергии при работе в составе радиационно-стимулированных бета-вольтаических элементов питания. Выполнена оценка полноты решения задач и достижения поставленных целей.
Программа
Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы"
Программное мероприятие
1.3 Проведение прикладных научных исследований и разработок, направленных на создание продукции и технологий
Разработка технологий получения высокоэффективных источников бета-излучения для радиационно-стимулированных элементов питания
Продолжительность работ
2015 - 2016, 16 мес.
Бюджетные средства
26,7 млн
Организация
ФГУП НИИ НПО "ЛУЧ"
профинансировано
Разработка эффективного радиационно-стимулированного механо-электрического генератора
Продолжительность работ
2015 - 2016, 16 мес.
Бюджетные средства
26,6 млн
Организация
НИТУ "МИСиС", МИСиС
профинансировано
Создание высокоэффективных бета-вольтаических элементов питания с длительным сроком службы на основе радиационно-стойких структур
профинансировано
Исследование влияния высокоэнергетического излучения на параметры твердых растворов соединений AIIIBV с целью создания радиационно-стойких светодиодных структур
Продолжительность работ
2013, 4 мес.
Бюджетные средства
6,4 млн
Организация
АО "НИФХИ им. Л.Я. Карпова"
профинансировано
Разработка полупроводниковых структур на основе радиационно-стойких и высокотемпературных материалов нового поколения для сознания СВЧ диодов сантиметрового диапазона длин волн
Продолжительность работ
2011 - 2012, 17 мес.
Бюджетные средства
0,4 млн
Организация
НИТУ "МИСиС", МИСиС
профинансировано