Регистрация / Вход
Прислать материал

Разработка конструкции и технологии создания полупроводниковых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1530-1565 нм для высокоскоростных оптических линий связи и сенсорных устройств

Цели проекта, предлагаемого к реализации, должны представлять из себя цели, связанные с целями Программы, т.е. цели научно-технического развития страны, которые, могут быть достигнуты посредством использования результатов предполагаемых ПНИЭР.

Этапы проекта

1
26.09.2017 - 29.12.2017
Разработаны методы моделирования излучательных параметров квантово-размерных наногетероструктур и проведены расчеты. Разработана эскизная конструкторская документация на квантово-размерные наногетероструктуры активной области для вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1530-1565 нм. Разработана лабораторная технологическая инструкция на технологию синтеза методом молекулярно пучковой эпитаксии макетов квантово-размерных наногетероструктур активной области для вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1530-1565 нм. Изготовлены макеты квантово-размерных наногетероструктур активной области для вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1530-1565 нм. Разработаны программа и методики исследовательских испытаний квантово-размерных наногетероструктур активной области для вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1530-1565 нм и проведены исследовательские испытания. Разработаны эскизный проект и эскизная конструкторская документация на кристаллы вертикально-излучающего лазера спектрального диапазона 1530-1565 нм.
Развернуть
2
01.01.2018 - 31.12.2018
Разработаны конструкции и технология изготовления макетов и экспериментальных образцов составных частей гетероструктуры вертикально-излучающего лазера (ВИЛ) диапазона 1530-1565 нм на подложках арсенида галлия и фосфида индия методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Изготовлены их макеты и экспериментальные образцы и проведены исследовательские испытания. Разработана технология изготовления гетероструктуры ВИЛ диапазона 1530-1565 нм посредством спекания ее составных частей, выращенных на подложках арсенида галлия и фосфида, и изготовлены ее макеты. Разработана технология изготовления кристаллов ВИЛ диапазона 1530-1565 нм из спеченной гетероструктуры ВИЛ. Изготовлены макеты кристаллов ВИЛ и проведены их исследовательские испытания по разработанным программам и методикам.
Развернуть
3
01.01.2019 - 31.12.2019
Проведены работы по изготовлению гетероструктур распределенного брэгговского отражателя спектрального диапазона 1530-1565 нм. Проведена корректировка технологической операции на процесс прецизионного сухого травления многослойных наногетероструктур брэгговских отражателей на основе AlGaAs/GaAs, технологической операции на процесс пассивации диэлектриком поверхности кристалла вертикально-излучающего лазера с непланарным рельефом, технологической операции на процесс формирования омических контактов кристалла вертикально-излучающего лазера.
Развернуть
4
01.01.2020 - 30.06.2020

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы"

Программное мероприятие

1.3 Проведение прикладных научных исследований и разработок, направленных на создание продукции и технологий
Тема
Отбор проектов, направленных на проведение прикладных научных исследований и экспериментальных разработок и получение результатов, необходимых для реализации приоритетов научно-технологического развития Российской Федерации, определенных Стратегией научно-технологического развития Российской Федерации
Продолжительность работ
2017 - 2019, 25 мес.
Бюджетные средства
4 405,65 млн
Количество заявок
260
Тема
Отбор проектов, направленных на проведение прикладных научных исследований и получение результатов, необходимых для реализации приоритетов научно-технологического развития Российской Федерации, определенных Стратегией научно-технологического развития Российской Федерации
Продолжительность работ
2017 - 2019, 25 мес.
Бюджетные средства
3 615,87 млн
Количество заявок
304
Тема
Разработка технологии получения наногетероструктур и мощных полупроводниковых лазеров на их основе, излучающих в оптическом диапазоне 1400-1600 нм.
Продолжительность работ
2014 - 2016, 28 мес.
Бюджетные средства
120 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка технологии эпитаксиального выращивания приборных полупроводниковых гетероструктур на основе InP: лазеров с пассивной синхронизацией мод и фотоприемников спектрального диапазона 1300-1550 нм
Продолжительность работ
2015 - 2016, 16 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка технологии изготовления фотонных интегральных схем лазеров с пассивной синхронизацией мод и фотоприемников спектрального диапазона 1300-1550 нм
Продолжительность работ
2015 - 2016, 16 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
1