Регистрация / Вход
Прислать материал

Разработка наногетероструктур на подложках фосфида индия для приборов СВЧ наноэлектроники (диапазон 100 - 300 ГГц)

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Проект закончен
Проект
14.604.21.0003
Руководитель работ
Галиев Галиб Бариевич

Создание новой продукции и технологий с целью создания конкретного образца (типа изделия, материала) или исследования особенностей его функционирования или применения

Этапы проекта

1
17.06.2014 - 31.12.2014
Выявлены основные особенности конструкции HEMT (high electron mobility transistor) наногетероструктур на подложках InP, используемых для изготовления высокочастотных устройств для диапазона 100 - 300 ГГц. Проведено моделирование распределения носителей заряда в эпитаксиальных слоях и определение поведения концентрации электронов при различных вариантах геометрии и состава HEMT наногетероструктур на основе компьютерного расчета зонных диаграмм. Показано, что концентрация электронов в квантовой яме возрастает при увеличении содержания индия In в квантовой яме InGaAs/InAlAs, увеличении толщины квантовой ямы, увеличении дозы дельта-легирования, уменьшении толщины спейсерного слоя и увеличении толщины барьерного слоя. Рассмотрены модификации традиционной конструкции НЕМТ гетероструктур InGaAs/InAlAs, используемой для получения полевых транзисторов для диапазона 100-300 ГГц. Показано, что при температурах выше 540 С необходимо вносить корректировку потока In, путем увеличения его значения по сравнению с потоком, используемым при низкой температуре подложки (менее 500 С), и рассчитан коэффициент поправки. Определена оптимальная конструкция гетероструктур, обеспечивающая плотность двумерного электронного газа в квантовой яме больше 3x10^12 см^-2 без образования параллельной проводимости: квантовая яма InGaAs толщиной 10-20 нм и содержанием In 0.53-0.8, барьер inAlAs толщиной 6-15 нм и мольной долей In 0.4-0.52, спейсер толщиной 3-5 нм, дельта-легирование с плотностью (4-5)x10^12 см^-2, вставка InAs толщиной 3-5 нм.
Развернуть
2
01.01.2015 - 30.06.2015
2.1. Разработка Программы и методик исследовательских испытаний макетов и экспериментальных образцов HEMT наногетероструктур InAlAs/InGaAs на подложках InP.
2.2. Разработка конструкции (состав, толщина и степень легирования эпитаксиальных слоев) и технологических режимов получения наногетероструктур InAlAs/InGaAs на подложках InP.
2.3. Получение макетов HEMT наногетероструктур InAlAs/InGaAs на подложках InP.
2.4. Проведение исследовательских испытаний макетов HEMT наногетероструктур InAlAs/InGaAs на подложках InP.
2.5. Экспериментальные исследования макетов HEMT наногетероструктур InAlAs/InGaAs на подложках InP методом просвечивающей и просвечивающей растровой электронной микроскопии.
Развернуть
3
01.07.2015 - 31.12.2015
Разработана программа и методика исследовательских испытаний. Изготовлены 4 макета. Проведены исследования макетов методами рентгеновской дифрактометрии и просвечивающей электронной микроскопии. Получены 6 экспериментальных образцов. Откалиброваны технологические условия роста макетов и экспериментальных образцов.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы"

Программное мероприятие

1.2 Проведение прикладных научных исследований для развития отраслей экономики
Продолжительность работ
2014 - 2015, 18 мес.
Бюджетные средства
9,4 млн
Организация
МИЭТ
профинансировано
Продолжительность работ
2014 - 2016, 30 мес.
Бюджетные средства
43,5 млн
Организация
ФТИ им. А.Ф.Иоффе
профинансировано
Тема
Конкурсный отбор двухлетних прикладных научных исследований, направленных на создание продукции и технологий, по приоритетному направлению "Науки о жизни" в рамках мероприятия 1.2 Программы.
Продолжительность работ
2014 - 2015, 18 мес.
Бюджетные средства
300 млн
Количество заявок
85
Тема
Конкурсный отбор трехлетних прикладных научных исследований, направленных на создание продукции и технологий, по приоритетному направлению "Науки о жизни" в рамках мероприятия 1.2 Программы.
Продолжительность работ
2014 - 2016, 30 мес.
Бюджетные средства
780 млн
Количество заявок
233
Тема
Конкурсный отбор двухлетних прикладных научных исследований, направленных на создание продукции и технологий, по приоритетному направлению «Индустрия наносистем» в рамках мероприятия 1.2 Программы.
Продолжительность работ
2014 - 2015, 18 мес.
Бюджетные средства
300 млн
Количество заявок
105
Тема
Конкурсный отбор трехлетних прикладных научных исследований, направленных на создание продукции и технологий, по приоритетному направлению «Индустрия наносистем» в рамках мероприятия 1.2 Программы.
Продолжительность работ
2014 - 2016, 30 мес.
Бюджетные средства
780 млн
Количество заявок
249
Тема
Конкурсный отбор двухлетних прикладных научных исследований, направленных на создание продукции и технологий, по приоритетному направлению «Информационно-телекоммуникационные системы» в рамках мероприятия 1.2 Программы.
Продолжительность работ
2014 - 2015, 18 мес.
Бюджетные средства
200 млн
Количество заявок
87