Регистрация / Вход
Прислать материал

Новый низкотемпературный подход к формированию многопереходных солнечных элементов на основе интеграции соединений АIIIВV и кремния

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Выполнение этапа проекта
Проект
14.616.21.0040
Продолжительность работ
2015 - 2017, 26 мес.
Бюджетные средства
15 млн
Внебюджетные средства
16,63 млн

Информация отсутствует

Этапы проекта

1
16.10.2015 - 31.12.2015
Разработана технология осаждения нелегированных слоев GaP на подложках кремния методом атомно-слоевого плазмохимического осаждения. Выращены нелегированные слои GaP на Si подложке. Полученные гетероструктуры продемонстрировали перспективность их использования для создания фотоэлектрических преобразователей солнечного излучения. Разработана новая конструкция фотопреобразовательной структуры на основе гетероперехода GaP/Si, позволяющая достичь максимальных значений коэффициента полезного действия (КПД).
Развернуть
2
01.01.2016 - 30.06.2016
Разработана технологии осаждения легированных кремнием (n-типа проводимости) слоев GaP на подложках кремния методом атомно-слоевого ПХО (парофазное химическое осаждение). Разработана технология формирования контактных и барьерных металлических слоев на поверхности гетероструктур методом ваккумного напыления. Изготовлены экспериментальные образцы нелегированных и легированных кремнием слоев GaP на подложках кремния и барьеры Шоттки к ним. Разработана технология изготовления фотопреобразовательных структур на основе гетероперехода n-GaP/p-Si.
Развернуть
3
01.07.2016 - 31.12.2016
Разработана технология осаждения легированных слоев GaP n- и p-типа проводимости на подложках кремния методом атомно-слоевого плазмохимического осаждения. Разработана технология и изготовлены экспериментальные образцы фотопреобразовательных структур на основе гетероперехода n-GaP/p-Si, а также проведены их испытания. Проведен расчет фотоэлектрических преобразователей солнечного излучения на основе интеграции материалов AIIIBV и кремния. Разработана программа-методика испытаний экспериментальных образцов фотопреобразовательных структур, одно- и много-переходных фотоэлектрических преобразователей солнечного излучения. Проведены патентные исследования.
Развернуть
4
01.01.2017 - 31.12.2017
Разработана технология изготовления экспериментальных образцов фотопреобразовательных структур на основе гомо- и гетеропереходов со слоями GaP(N). Изготовлены экспериментальные образцы фотопреобразовательных структур на основе гомо- и гетеропереходов со слоями GaP(N). Разработаны новые конструкции многопереходных солнечных элементов AIIIBV на подложках кремния. Разработана технология изготовления экспериментальных образцов многопереходных солнечных элементов на основе интеграции материалов AIIIBV и кремния.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы"

Программное мероприятие

2.2 Поддержка исследований в рамках сотрудничества с государствами — членами Европейского союза.
Тема
Разработка перспективных источников энергии на основе полупроводниковых многопереходных солнечных элементов
Продолжительность работ
2013, 8 мес.
Бюджетные средства
30 млн
Количество заявок
13
Тема
Создание набора эталонных солнечных элементов и аттестованных методик измерений для метрологического обеспечения производства солнечных батарей нового поколения на основе наноразмерных гетероструктур.
Продолжительность работ
2011, 7 мес.
Бюджетные средства
13 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка методов получения нанокомпозитных пленок на основе аморфного кремния, содержащего кремниевые нанокристаллы, для солнечных элементов.
Продолжительность работ
2011 - 2012, 20 мес.
Бюджетные средства
14,96 млн
Количество заявок
5
Тема
Проведение проблемно-ориентированных и поисковых исследований разработки мультикаскадных солнечных элементов для создания источников энергии с повышенной энергоэффективностью
Продолжительность работ
2013, 6 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
9
Тема
Разработка новых редокс-систем для фотоэлектрохимических преобразователей, не вызывающих коррозии элементов солнечных модулей и повышающих напряжение солнечных элементов до 1.5 В.
Продолжительность работ
2011 - 2012, 14 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
2