Регистрация / Вход
Прислать материал

Создание высокоэффективных полупроводниковых тонкопленочных светодиодов и лазеров видимого и инфракрасного диапазонов с внешним квантовым выходом более 40%.

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Проект закончен
Проект
16.513.12.3013

Повышение светоотдачи энергосберегающих осветительных модулей и оптоэлектронных устройств широкого бытового и промышленного назначения для освещения, отображения, передачи, записи и считывания информации.

Участники проекта

Зам. руководителя работ
Петрухин Георгий Николаевич

Этапы проекта

1
22.09.2011 - 02.12.2011
Разработаны прототипы технических решений по реализации результатов теоретических исследований. Выполнено математическое моделирование накопления носителей зарядов в р-п-гетероструктурах. Разработаны требования к конструкциям и изготовлению методами газовой, молекулярной, жидкофазной эпитаксий многослойных полупроводниковых р-n-гетероструктур с нано-и микроразмерными активными слоями для реализации в них эффектов накопления носителей заряда и самоохлаждения. Разработаны требования к конструктивным особенностям тонкопленочных многопроходных светодиодов и лазеров. Разработаны требования к толщине припоя и температуре его плавления при посадке излучающей р-n-гетероструктуры на подложку-носитель в процессе изготовления чипов излучателей. Изготовлена первая партия р-п-гетероструктур методами жидкофазной, газовой и молекулярной эпитаксий, исследование их состава и геометрических размеров слоев Изготовлена первая партия чипов излучателей и предварительные исследования их с помощью стенда ФГУП НИИФП.
Развернуть
2
01.01.2012 - 31.07.2012
Проведены: реализация прототипов технических решений; испытания экспериментальных образцов светодиодов и лазеров в соответствии с программой и методиками; дополнительные патентные исследования Разработана: экспериментальные образцы тонкопленочных светодиодов и лазеров; программа и методики исследований экспериментальных образцов; лабораторный технологический регламент изготовления многопроходных тонкопленочных светодиодов; лабораторный технологический регламент изготовления многопроходных тонкопленочных лазеров; эскизная конструкторская документация; диагностирующий стенд для исследования электрофизических параметров излучающих приборов, и изготовлен; Изготовлены: вторая партия р-п-гетероструктур методами жидкофазной, газовой и молекулярной эпитаксий, исследование их состава и геометрических размеров слоев; вторая партия чипов излучателей; экспериментальные образцы светодиодов и лазеров.
Развернуть
3
01.08.2012 - 15.10.2012
Изготовлена оптимизированная партия р-п-гетероструктур и излучателей на их основе. Обобщены и оценены полученные результаты. Разработаны рекомендации по использованию результатов проведенной НИР в реальном секторе экономики, а также в дальнейших исследованиях и разработках.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы"

Программное мероприятие

1.3 Проведение проблемно-ориентированных поисковых исследований и создание научно-технического задела в области индустрии наносистем
Продолжительность работ
2017 - 2020, 41 мес.
Бюджетные средства
15 млн
Организация
ФТИ им. А.Ф.Иоффе
профинансировано
Продолжительность работ
2016 - 2019, 32 мес.
Бюджетные средства
31 млн
Организация
Университет ИТМО
профинансировано
Тема
Создание высокоэффективных полупроводниковых тонкопленочных светодиодов и лазеров видимого и инфракрасного диапазонов с внешним квантовым выходом более 40%.
Продолжительность работ
2011 - 2012, 14 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка методов создания полупроводниковых наноматериалов для высокоэффективных лазеров и светодиодов в спектральной области 0.3-1.5 мкм
Продолжительность работ
2007 - 2008, 18 мес.
Бюджетные средства
30 млн
Количество заявок
11
Тема
«Разработка архивной мультигигабайтной голографической памяти на основе наноструктурированных фоточувствительных материалов и микроэлектромеханических устройств записи-считывания».
Продолжительность работ
2011 - 2012, 19 мес.
Бюджетные средства
15 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка инфракрасных фотоприемных модулей на основе неохлаждаемых тонкопленочных чувствительных наноструктур.
Продолжительность работ
2011 - 2012, 14 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка перспективных технологий и конструкций изделий интеллектуальной силовой электроники для применения в аппаратуре бытового и промышленного назначения, на транспорте, в топливно–энергетическом комплексе и в специальных системах (источник питания на сверхъемких тонкопленочных конденсаторных ячейках).
Продолжительность работ
2014 - 2015, 20 мес.
Бюджетные средства
18,1 млн
Количество заявок
1