Регистрация / Вход
Прислать материал

Атомно-слоевое осаждение пленок в вакууме

ФИО: Корниенков Ю.В.

Направление: Нанотехнологии

Научный руководитель: Сергиенко А.А.

Институт: Институт новых материалов и нанотехнологий

Кафедра: Кафедра Технологии материалов электроники

Академическая группа: ММК-14-1

Атомно-слоевое осаждение (Atomic layer deposition – ALD) – это тонкопленочная технология, которая позволяет производить совершенно новые и высокотехнологичные продукты. ALD является мощным инструментом для исследования в области нанотехнологии и низкоразмерных систем. Пленки, нанесенные методом ALD находят применение в областях, где требуется нанести абсолютно безпористые и равномерные покрытия с прецизионной точностью по толщине на подложки сложной формы и геометрии.

ALD – это технология, позволяющая производить новые материалы и изделия со свойствами, которые либо невозможно было достичь другими методами, сохраняя при этом экономическую эффективность, либо недостижимыми в принципе. ALD как тонкопленочная технология позволяет:

• Прецизионный контроль толщины пленки.

• Отсутствие пор и дефектов поверхности – превосходные барьерные и пассивационные свойства;

• Равномерное покрытие как на плоских подложках большой площади, так и на поверхностях сложной формы, включая пористые материалы и порошки;

• Новые материалы и низкоразмерные структуры, такие как наноламинаты;

Процесс осаждения основан на химическом взаимодействии между поверхностью подложки и реагентами. Два или более реагентов последовательно вступают в реакцию с активными группами поверхности, осаждаясь в виде одного монослоя материала. А многократная обработка позволяет осадить тонкую пленку целевого материала требуемой толщины с высокой точностью.