Регистрация / Вход
Прислать материал

Этапы изготовления графеновой транзисторной структуры

ФИО: Волкова Я.Б.

Направление: Нанотехнологии

Научный руководитель: к.ф-м.н., доц. Иржак Артемий Вадимович

Институт: Институт новых материалов и нанотехнологий

Кафедра: Кафедра Материаловедения полупроводников и диэлектриков

Академическая группа: студент

На современном этапе развития микроэлектроники графен является одним из самых перспективных материалов, претендующей на замену кремния в электронике, из-за своих уникальных электрических характеристик [1]. Первые созданные образцы графеновых транзисторов хоть и обладают высоким быстродействием, но технология их изготовления очень дорога и малоэффективна. Основным препятствием служит то, что очень много времени и энергии уходит на процесс «расслаивания» углерода и получения графеновых пленок.

Метод CVD синтеза графена, способом однократного напуска ацетилена – совершенно иной подход к формированию графеновых пленок, являющийся более совместимым с существующими технологиями полупроводниковой промышленности и уже на протяжении последних десятилетий применяемым в ней [2], например, для получения тонких пленок из других материалов, таких как GaAs, SiC и др.

Одним из важнейших этапов формирования графеновой транзисторной структуры является этап CVD синтеза графена и размещения функциональных слоев графена в требуемой области для создания контактных площадок: сток, исток, затвор, и подзатворного диэлектрика.

На этапе выбора технологических маршрутов формирования структуры в зависимости от модели топологии транзисторной структуры применяются различные типы литографии такие как: проекционная фотолитография, лазерная и электронная литографии, а также подбираются способы получения тонкопленочных проводящих и диэлектрических покрытий.

В данной работе рассматриваются этапы изготовления графеновой транзисторной структуры с применением технологии жидкостного переноса графеновых слоев и формирования транзисторных структур в выбранной области методом высокоразрешающей конфокальной микроскопии комбинационного рассеяния света (КРС) с последующим формированием топологии транзистора в заданной области с помощью электронной литографии, как показано на рисунке 1.

Рисунок 1 – Микрофотография 70×70 мкм высокоразрешающей конфокальной микроскопии КРС с предполагаемой топологией контактов в выбранной области

Список литературы

1. K.S. Novoselov and A. K. Geim: «The electronic properties of graphene»/ Department of Physics and Astronomy, University of Manchester, Manchester, M13 9PL, United Kingdom – 14 January 2009 – 54

2. Sergey Mikhailov: «Physics and applications of graphene experiments»/ ISBN 978-953-307-217-3, Hard cover, 540 pages, Publisher: InTech, Chapters published April 19, 2011.