Регистрация / Вход
Прислать материал

Исследование условий роста высокооднородных эпитаксиальных монокристаллических гетероструктур на основе соединений AlxGa1-xAs, InxGa1-xAs, InxGa1-xP, созданных методом МОСГФЭ

ФИО: Платонов Н.Д.

Направление: Нанотехнологии

Научный руководитель: к.ф.-м.н. Жалнин Б.В., асп. Лебедев А.А.

Институт: Институт новых материалов и нанотехнологий

Кафедра: Кафедра Наноструктурных преобразователей энергии

Академическая группа: МФХ-14-1

Трёхкаскадный фотоэлектрический преобразователь (ФЭП) является современным и перспективным прибором космического назначения. Исследование условий высокооднородного эпитаксиального роста структур необходимо для отработки технологии создания ФЭП и проведения промежуточного контроля. Одним из способов исследования является алгоритм изучения технологических параметров, который включает определение однородности эпитаксиальных слоев по химическому составу, толщине и уровню легирования.

Основной особенностью исследования является строгое соблюдения алгоритма изучения параметров и их отклонения от допустимого значения. В таблице показаны параметры роста в порядке их определения, их допустимые значения, методы исследования и образцы, необходимые для проведения исследования.

Определяемый параметр Метод исследования Образцы
Химический состав (∆ = 0,1 %) Фотолюминесценция Толстый слой на эпиподготовленной подготовленной подложке
Равномерность по химическому составу (< 1 %) Фотолюминесценция Толстый слой на эпиподготовленной подготовленной подложке
Равномерность по толщине (< 1 %) Спектрофотомерия Брэгговское зеркало (десяток пар слоёв) на эпиподготовленной подложке
Определение концентрации легирующей примеси (10^16 – 10^20), 1/см3 Электрохимическое профилирование Тонкие слои на эпиподготовленной легированной подложке
Равномерность по распределению легирующей примеси Бесконтактное измерение электрического сопротивления Толстый слой на эпиподготовленной нелигированной подложке

В ходе работы проведен обзор литературы, изучены основные методы и освоены методики для оценки равномерности эпитаксиальных слоев. Проведено исследование технологических параметров для образцов на основе InxGa1-xAs, AlxGa1-xAs, InxGa1-xP. Получены средние отклонения слоев по толщине: для GaAs/Alas 0,41%, для GaAs/InGaP 1,27%, для GaAs/ AlxGa1-xAs 0,59%, для GaAs/InxGa1-xAs 1,69%. Измерено среднее значение концентрации носителей в образце GaAs/AlAs: 1018 1/см3.