Регистрация / Вход
Прислать материал

Исследование влияния химической природы бомбардирующих ионов на физические свойства структуру КНИ (SiO2-Si)

ФИО: Омельченко Ю.К.

Направление: Нанотехнологии

Научный руководитель: к.т.н., доц. Леготин С.А.

Институт: Институт новых материалов и нанотехнологий

Кафедра: Кафедра Полупроводниковой электроники и физики полупроводников

Академическая группа: ППЭ-11-1

Большинство современных интегральных схем (ИС) изготавливается на основе полевого конструктивно-технологического базиса. Полевые МОП транзисторы являются основным конструктивным элементом этих ИС. Важной проблемой для использования МОП ИС в космической, военной и специальной РЭА является устойчивость к радиации. В работе рассмотрены основные физические причины, вызывающие изменения характеристик МОП транзисторов при различных радиационных воздействиях. Рассматриваются методы измерения электрических характеристик МОП (металл – SiO2 – Si) структур, являющихся основой МОП транзисторов, позволяющие исследовать влияние радиации как на МОП структуру в целом, так и на ее компоненты (SiO2, Si, ОПЗ в Si, поверхностные состояния на границе раздела SiO2-Si). Произведен выбор метода измерения C-V характеристик (вольт-фарадных характеристик) для изучения радиационных эффектов в МОП структуре. Определены условия проведения ионной имплантации, при которой ионы разной химической природы, естественно, имеющие разную массу, передают структуре SiO2-Si равную энергию. Измерены C-V характеристики SiO2-Si структур, облучаемых ионами N+, O+, F+, Ne+.