Регистрация / Вход
Прислать материал

Исследование возможности применения магнетронного осаждения пленок карбида кремния распылением нанокомпозитных мишеней углерод/пористый кремний

ФИО: Худайкулов Б.Н.

Направление: Нанотехнологии

Научный руководитель: к.т.н. Кушхов Аскер Русланович

Институт: Институт новых материалов и нанотехнологий

Кафедра: Кафедра Технологии материалов электроники

Академическая группа: ММК-13-1

Карбид кремния обладает химической стабильностью, большой шириной запрещенной зоны, высокой теплопроводностью, высокой стойкостью к повышенным температурам и ионизирующим излучениям, высокой скоростью дрейфа носителей заряда, возможностью легирования его акцепторными и донорными примесями. Уникальные физические свойства SiC делают его применимым в мощных, высокотемпературных и высокочастотных устройствах. Карбид кремния все шире используются для производства полупроводниковых приборов для экстремальной электроники и оптоэлектроники.

Несмотря, на успехи, которые наметились в последнее десятилетие в технологии приборных структур на основе карбида кремния, остаются проблемными задачи, ориентированные, на получение гетероэпитаксиальных структур SiC/Si.

В данной работе исследуется возможность получения пленок карбида кремния методом магнетронного распыления нанокомпозитной мишени, углерод/пористый кремний. Метод магнетронного распыления материалов является одним из наиболее эффективных методов нанесения пленок в планарной технологии. Этот метод является разновидностью ионно-плазменного распыления. Распыление материала в этих системах происходит за счет бомбардировки поверхности мишени ионами рабочего газа.

Для теоретического обоснования применимости метода была использована математическая модель и разработано профессиональное программное обеспечение. При расчетах была заложена конструкция составной мишени кремний-графит, которая позволяет считать распределение толщины напыляемой пленки при магнетронном распылении составной мишени. Для различных расстояний между подложкой и мишенью были построены профили распределения толщины композитной пленки состав которой отвечал эквиатомному соединению.

По результатам исследований сделан вывод о практической возможности получения пленок карбида кремния по данной технологии.

Таким образом, показана возможность синтеза карбида кремния с использованием технологии магнетронного осаждения.