Регистрация / Вход
Прислать материал

Изучение термоакцепторного эффекта в БЗП кремния

ФИО: Таласбек Г.С.

Направление: Нанотехнологии

Научный руководитель: к.ф.-м.н, доц. Кобелева С.П.

Институт: Институт новых материалов и нанотехнологий

Кафедра: Кафедра Полупроводниковой электроники и физики полупроводников

Академическая группа: МПЭ-14-1

Радиационная обработка кремния позволяет контролируемо увеличивать удельное электросопротивление материала (ρ). Но вместе с этим резко падает объемное время жизни неравновесных носителей заряда (τ). Термические отжиги позволяют восстановить величины ρ и τ, но происходит это в разных температурных интервалах, причем восстановление ρ происходит при меньших температурах, чем τ. В работе исследовали возможность получения высокоомного материала с большими ВЖ с использованием радиационных технологий.

В работе исследовалась пластина МК кремния n типа, выращенного методом БЗП с удельным сопротивлением 994±3 Ом·см. Диаметр пластины (60±2) мм, толщина – (2±0,1) мм. Число точек измерения – 81. Было исследовано распределение электрофизических параметров в исходной пластине, а также после облучения быстрыми электронами с энергией 6 МэВ и после изохронного (1 час) термического отжига при температурах 100°С, 125°С, 170°С, 250°С и 300°С.

На рис. представлена зависимость УЭС от температуры отжига тдля характерных точек на пластине. Отжиг РД, вызывающих увеличение ρ, происходит при температурах (100–170)°С, отжиг РД, вызывающих уменьшение τ, происходит при температурах (220–350)°С. Одновременно с восстановлением ВЖ τ наблюдается рост УЭС, что связано с термоакцепторным эффектом.

Таким образом показано, что можно подобрать режимы отжига электронного кремния после облучения быстрыми электронами, при которых ВЖ τ восстанавливается одновременно с заетным увеличением УЭС. Данный эффект можно использовать при изготовлении детекторов резистивного типа.