Регистрация / Вход
Прислать материал

Методика испытаний биполярных микросхем на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ

ФИО: Спиридонов К. И.

Направление: Нанотехнологии

Научный руководитель: к.ф.-м.н., с.н.с., доц. Таперо Константин Иванович

Институт: Институт новых материалов и нанотехнологий

Кафедра: Кафедра Полупроводниковой электроники и физики полупроводников

Академическая группа: МПЭ-14-1

В настоящее время при воздействии низкоинтенсивного ионизирующего излучения (ИИ) может происходить аномальное уменьшение (до порядка и выше) коэффициента усиления биполярных транзисторов, как n-p-n так и p-n-p типа, по сравнению с облучением высокой интенсивностью при одинаковой накопленной дозе.

Таким образом, целью данной работы является создание физической модели эффекта низкой интенсивности в биполярных микросхемах, позволяющей оценивать радиационную деградацию биполярных приборов, предназначенных для применения в условиях воздействия излучений космического пространства.

Данная работа позволит получать зависимость тока поверхностной рекомбинации биполярных транзисторных структур от плотности поверхностных состояний, позволяющая связать деградацию радиационно-чувствительных параметров биполярных приборов с поглощенной дозой. Это модернизирует методику и технологию испытаний биполярных микросхем на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ.