Регистрация / Вход
Прислать материал

Моделирование процессов диффузии и геттерирования металлических примесей в кремнии

ФИО: Якимов Ю.А.

Направление: Материаловедение

Институт: Институт новых материалов и нанотехнологий

Кафедра: Кафедра Полупроводниковой электроники и физики полупроводников

Академическая группа: МПЭ-14-1

Важной характеристикой фотоприемных структур является время жизни неосновных носителей заряда. Большое время жизни позволяет создавать приборы, имеющие низкий генерационный ток, то есть приборы, обладающие высокой эффективностью. Для увеличения времени жизни необходимо снижать концентрацию рекомбинационных центров во всем объеме структуры. В кремниевых p-i-n фотодиодах одной из основных причин снижения времени жизни являются примеси быстродиффундирующих металлов, например железа и меди. Основным источником примеси переходных элементов, прежде всего, железа, диффундирующих в кремний при высокотемпературном отжиге, является газовая атмосфера реактора, которая загрязняется из аппаратуры для проведения термодиффузионных процессов. Для удаления нежелательных примесей и дефектов обычно используется внешнее геттерирование. Для определения оптимальных параметров высокотемпературного отжига и геттерирования примесей требуется проведение моделирования.

В данной работе проведено математическое моделирование диффузии металла, попадающего из атмосферы реактора, с образованием преципитатов, а так же процесса геттерирования с помощью жидкого слоя алюминия.

Научный руководитель – к.ф.-м.н. Диденко С.И.