Регистрация / Вход
Прислать материал

Моделирование радиационного накопления заряда в диэлектриках МОП-структур с учетом интенсивности, температуры и электрического режима при облучении

ФИО: Докторова В.П.

Направление: Нанотехнологии

Научный руководитель: к.ф.-м.н, с.н.с., доцю Таперо Константин Иванович

Институт: Институт новых материалов и нанотехнологий

Кафедра: Кафедра Полупроводниковой электроники и физики полупроводников

Академическая группа: МПЭ-14-1

Целью работы является разработка программы для моделирования накопления и нейтрализации заряда в диэлектрике МОП-структур при радиационном облучении и отжиге.

В данной работе рассмотрены методы моделирования накопления и нейтрализации заряда в диэлектриках МОП-структур при радиационном облучении и отжиге, методики испытаний изделий МОП- и КМОП-технологии на стойкость к воздействию поглощенной дозы ионизирующих излучений. Также, были изучены численные методы решения систем дифференциальных уравнений типа конвекции-диффузии.

Разработка программы позволит провести расчеты накопленного в диэлектрике заряда в зависимости от интенсивности радиационного облучения, температуры и электрического режима.