Регистрация / Вход
Прислать материал

Моделирование распределения намагниченности в магнитоимпедансных микропроводах

ФИО: Астахов В.А., Шакирзянов Р.И.

Направление: Материаловедение

Научный руководитель: ст. преп., к.ф-м.н. Морченко А.Т. и проф. Панина Л.В

Институт: Институт новых материалов и нанотехнологий

Кафедра: Кафедра Технологии материалов электроники

Академическая группа: МКТ-12

Актуальной задачей микросистемной техники является разработка датчиков слабых магнитных полей и токов. Магнитоимпедансный (МИ) эффект позволяет создавать сенсорные элементы, превосходящие по своим возможностям устройства, построенные на основе широко известного гигантского магниторезистивного эффекта. Наиболее сильно МИ-эффект проявляется в цилиндрических аморфных проводах, в которых для получения высоких значений выходного сигнала формируют специфическую структуру магнитной анизотропии с преимущественно круговым или спиральным (геликоидальным) распределением намагниченности насыщения в наружном слое проводника при ее продольной ориентации в сердцевинной части.

Одна из предпосылок успешного создания высокочувствительных магнитоимпедансных датчиков магнитных полей – исследование условий возбуждения и влияния внешних магнитных полей на сигнал чувствительного элемента. С этой целью в работе на основе численного моделирования рассматривается распределение намагниченности в аморфных ферромагнитных микропроводах с циркулярной магнитной анизотропией. Анализ влияния магнитных полей различной природы на распределение намагниченности в МИ проводнике позволило определить условия, при которых поперечная составляющая внешнего магнитного поля не оказывает существенного влияния на сигнал сенсорного элемента, что открывает возможности для построения векторных (трехмерных) интеллектуальных датчиков магнитных полей. Работа выполняется при финансовой поддержке гранта РФФИ № 13-08-01319.