Регистрация / Вход
Прислать материал

Оптимизация технологии свч биполярных транзисторов по повышению выхода годных кристаллов в производстве

ФИО: Мамедов А.Б.

Направление: Нанотехнологии

Научный руководитель: к.т.н., доц. Орлова Марина Николаевна

Институт: Институт новых материалов и нанотехнологий

Кафедра: Кафедра Полупроводниковой электроники и физики полупроводников

Академическая группа: ППЭ-09-1В

Рассматривается биполярный СВЧ-транзистор 2Т-9205Б, измерения проводились в ФГУП «ГЗ» «Пульсар».

Современный уровень технологий не позволяет изготавливать годные транзисторные кристаллы с большой рабочей областью, поэтому приборы приходится изготавливать из большого количества параллельно соединенных транзисторных структур. Это вносит определенные проблемы, связанные с их не идентичностью. И поэтому проблема равномерного токораспределения в мощных СВЧ очень важна, а следовательно и проблема «вторичного пробоя».

Эксперимент проводился на партии из 11 пластин транзисторных кристаллов. В данной работе применяется новый метод отбраковки кристаллов. Проводя контроль статических параметров, пластина сначала тестировалось без использования маркера, то есть бракованные кристаллы не помечались. После анализировалось, в каком диапазоне Вст находится максимальное количество годных кристаллов. Затем выбирался интервал, где находилось больше всего годных кристаллов, но так, что бы интервал не превышал 4 единиц. Выбор интервала Вст в четыре единицы обусловлен фактором скопления основного количества годных кристаллов в интервале, не превышающего четыре-пять единицы. Сужение интервала меньше четырех является не рентабельным, так как слишком многие кристаллы будут отбракованы. То есть интервал в четыре единице считается оптимальным и при проведение данного эксперимента будет использован такой интервал. После первого тестирования пластины и выбора нужного интервала, тестирование проводилось заново, но с измененной программой тестирования, где задавался конкретный интервал Вст для данной пластины. Во второй раз тестирование проводилось с использованием маркера, то есть бракованные кристаллы помечались специальными чернилами. Остальные статические параметры, как ток коллектор-эмиттер Iкэ, обратного тока коллектора Iкб, обратного тока эмиттера Iбэ оставались неизменны. Для следующей пластины все повторялось заново.

Общим итогом выход годных транзисторов 2Т-9205Б поднялся с 64% до 88%, то есть на 24%. Главные энергетические параметры СВЧ транзистора поднялись, но не значительно: Кур вырос на 0.75 дБ, КПД вырос на 2.15%. Процентная доля брака из-за «вторичного пробоя» снизилась 72% до 46%, то есть на 26%, что говорит о значительном повышении надежности транзистора 2Т-9205Б.