Регистрация / Вход
Прислать материал

Разработка керамической подложки для формирования полупроводниковых структур

ФИО: Яковлева А.С.

Направление: Нанотехнологии

Научный руководитель: доц. Диденко Сергей Иванович

Институт: Институт новых материалов и нанотехнологий

Кафедра: Кафедра Полупроводниковой электроники и физики полупроводников

Академическая группа: ППЭ-11-2

Для формирования полупроводниковых структур со значением топографии в нанометровом диапазоне целесообразно использовать алюмооксидную керамику. Анализ керамики ВК-94 показал, что требования к пористости и шероховатости практически не выполнимы, так как пористость керамики определяется гранулометрическим составом шихты и режимом спекания керамики. Было найдено относительно простое с технологической точки зрения решение: нанести на поверхность алюмооксидной керамики стеклообразующий материал, то есть провести процесс глазурования керамики. К покрытию из глазури предъявляют следующие технические требования: отсутствие поверхностной пористости покрытия глазури и достижение необходимой топографии поверхности покрытия.

Лучший результат на данный момент получен при нанесении глазури Г-1 на водной основе и вжигании при температуре 1440°С (время выдержки в печи – 30 мин). Глазурь на образец наносилась механизированным методом, толстым слоем. Пленка получилась глянцевая, поверхность практически равномерная с минимальным количеством пузырьков воздуха.

Рисунок 1 – Глазурь Г-1 на водной основе, Т=1440°С, t=45 минут.