Регистрация / Вход
Прислать материал

Разработка кремниевого фотоприемника на основе функционально-интегрированной структуры

ФИО: Кузьмина К. А.

Направление: Информационные технологии

Научный руководитель: к.т.н., доц. Леготин С.А.

Институт: Институт новых материалов и нанотехнологий

Кафедра: Кафедра Полупроводниковой электроники и физики полупроводников

Академическая группа: МПЭ-14-1

Кремниевые высокочувствительные фотоприемники ИК области имеют широкое применение для решения задач военного и гражданского назначения. Одно из важнейших направлений – это использование данных фотоприемников в акселерометрических системах. В последнее время требования, предъявляемые к данным фотоприемникам, а именно к темновому току, напряжению пробоя, монохроматической токовой чувствительности, интегральной токовой чувствительности, становятся выше. Поэтому создание кремниевого высокочувствительного фотоприемника является актуальной задачей.

Была предложена структура кремниевого фотоприемника на основе функционально-интегрированной структуры (интегрирован p-i-n-диод и вертикальный транзистор). Конструкция данного фотоприемника представлена на рисунке 1.

Рисунок 1 – Конструкция фотоприемника на основе функционально-интегрированной структуры

Были разработаны методики экспериментальных исследований статических и спектральных характеристик фотоприемника.

Измерение статических параметров проводились измерительной системой на основе Agilent B1500A. Были получены следующие результаты: темновой ток 120 нА при напряжении 190 В.

Экспериментальное исследование спектральных характеристик проводились на установке ЛУИ-1. Показано, что спектральный диапазон работы фотоприемника составляет 0,6–1,1 мкм с максимумами при длинах волн 0,65 и 0,75 мкм.

Полученная конструкция кремниевого фотоприемника позволит получать более качественный сигнал в достаточно широком диапазоне длин волн.