Регистрация / Вход
Прислать материал

Разработка сенсора температуры на основе функционально интегрированных структур

ФИО: Зиновьев Р.А.

Направление: Нанотехнологии

Научный руководитель: Леготин С.А.

Институт: Институт новых материалов и нанотехнологий

Кафедра: Кафедра Полупроводниковой электроники и физики полупроводников

Академическая группа: МПЭ-14-1

Разработана конструкция кремниевого датчика температуры на основе кремниевых функционально-интегрированных пиксельных структур, предназначенных для определения температурного поля. Разработана и оптимизирована технология изготовления сенсора температуры, представлена топология.

Спроектирован, изготовлен и исследован высокоточный сенсор температуры, измерены его чувствительность и точность. Были сняты вольт-амперные характеристики, проведены исследования предельной температуры работы сенсора.

Высокоточный координатно-чувствительный сенсор температуры может работать в широком диапазоне изменения параметров:

– сопротивление резистор в базе транзистора – 1 кОм – 10 МОм.

– емкости – 10 пФ – 200 пФ,

– резистор – 1 кОм – 10 МОм,

– коэффициента усиления h 21э > 10,

– изменения времени жизни τ 0 – 0,5 нс – 100 мкс,

– температурного диапазона от –90°С до +250°С.

Данный сенсор температуры может быть эффективно использован в термоизмерительных приборах различного назначения: от термометра с широким интервалом измерения температуры до приборов, измеряющих температурное поле биологических объектов.