Регистрация / Вход
Прислать материал

Разработка управляющей программы прибора для измерения удельного электросопротивления полупроводниковых материалов бесконтактным СВЧ методом

ФИО: Пыльнев А.В.

Направление: Нанотехнологии

Научный руководитель: доц. Кобелева Светлана Петрована

Институт: Институт новых материалов и нанотехнологий

Кафедра: Кафедра Полупроводниковой электроники и физики полупроводников

Академическая группа: ППЭ-11-2

Удельное электросопротивление (УЭС) – одна из важнейших характеристик любого полупроводникового материала, определяющая его области применения. Именно поэтому особенно важно иметь возможность быстрого измерения данной величины. На данный момент одними из самых распространённых методов измерения УЭС являются контактные методы – в частности четырёхзондовый метод, требующий непосредственного контакта зондовой головки с образцом, что иногда приводит к нарушению поверхности образца. Чтобы избавиться от этого эффекта можно применять бесконтактный СВЧ метод, позволяющий проводить измерения быстрым и неразрушающим способом, в основе которого лежит явление поглощения СВЧ излучения свободными носителями заряда полупроводника.

В ходе работы было создано программное обеспечение прибора для измерения УЭС полупроводниковых материалов бесконтактным СВЧ методом. Программа была написана на языке Tcl с визуальным компонентом Tk с использованием внешних библиыыотек написанных на языке СИ.

Программа управляет встроенным микроконтроллером MCX52-3.1 фирмы «Fractal» на базе микропроцессора PIC18. Программа преобразует выходной сигнал с детектора в цифровой вид. Программа обладает графическим интерфейсом и позволяет визуально оценить работу прибора, а также систематизировать полученные данные и точность измерения.

Результаты измерения стандартных образцов из набора «ГИРЕДМЕТ СОП 48-0572-258(1-9)-93» приведены в таблице 1.

№ образца 1 2 3 4 5 6 7
УЭС образца, Ом·см 1,469 4,611 16,34 36,92 98,0 228,8 527,4
Измерянное УЭС, Ом·см 1,4 5,1 18 73 104 240 730
Отклонение от номинала, % -2 11 12 97 6 4 38