Регистрация / Вход
Прислать материал

Создание и исследование омических контактов на основе Ni/Ge/Au к двумерному электронному газу в гетероструктуре GaAs/AlGaAs

ФИО: Степушкин М.В.

Направление: Нанотехнологии

Научный руководитель: к.т.н., доц. Курочка Сергей Петрович

Институт: Институт новых материалов и нанотехнологий

Кафедра: Кафедра Технологии материалов электроники

Вследствие тенденции к миниатюризации электронных приборов, важным вопросом является поведение электронов в квантово-размерных структурах. Для проведения экспериментов в этой области необходимо изготовление квантово-размерных структур. Серьезной проблемой при этом оказывается создание контактов, обладающих линейными вольт-амперными характеристиками при низких температурах, при которых наблюдаются квантовые эффекты.

В работе рассматриваются особенности обработки структур GaAs/AlGaAs с двумерным электронным газом, создание к ним омических контактов на основе Ni/Ge/Au и исследование их поведения при температурах до 10 К. Исследовались химическая подготовка образца (очистка кислородной и водородной плазмой, соляной кислотой), вакуумно-термическое напыление слоев металлизации и режимы вжигания. Были изготовлены и исследованы тестовые структуры с тонким (35 нм) и толстым (135 нм) спейсером для измерения качества контактов при различных температурах. Проведенные исследования позволили изготовить полупроводниковые наноструктуры для исследования эффектов квантования проводимости. Сформулированы требования к технологическому оборудованию и режимам обработки полупроводниковых структур. Выбраны режимы нанесения и вжигания контактов, обладающих воспроизводимыми характеристиками и работоспособных до гелиевых температур.