Регистрация / Вход
Прислать материал

Выращивание монокристаллов германата висмута методом Чохральского

ФИО: Мололкин А.А.

Направление: Материаловедение

Научный руководитель: к.т.н. Антипов Владимир Валентинович

Институт: Институт новых материалов и нанотехнологий

Кафедра: Кафедра Материаловедения полупроводников и диэлектриков

Академическая группа: МПП-11-1

В настоящее время значительная часть радиоэлектронных приборов конструируется на основе монокристаллических элементов с определённой совокупностью физических свойств. Многообразием уникальных физических и химических свойств обладают соединения со структурой силленита. К подобным соединениям относится германат висмута Bi12GeO20, нашедшие применение в оптоэлектронике, пьезотехнике, голографии, акустооптике, радиоэлектронике, рентгеновской и позитронной томографии. Пространственно-временные модуляторы света, линии задержки телевизионных сигналов, фильтры промежуточной частоты для цветного телевидения, детекторы g – излучения – вот далеко не полный перечень областей применения и приборов, действующих на основе германата висмута.

В данной работе рассматривается ростовая аппаратура и методика выращивания Bi12GeO20. Будут приведены результаты ростовых экспериментов, а также результаты измерений оптических и пьезоэлектрических свойств выращенных кристаллов Bi12GeO20. В частности измерены пьезоэлектрические, упругие свойства, а также оптическая активность выращенных кристаллов. Изучена дефектная структура выращенных кристаллов поляризационно-оптическими и электромеханическими методами. В частности выявлены и измерены вариации упругих свойств, вызванных изменениями стехиометрии по мере роста кристаллов.

Работа выполнена в лаборатории акустооптических и пьезоэлектрических кристаллов Института кристаллографии РАН под руководством ведущего научного сотрудника кандидата химических наук Ломонова Владимира Алексеевича.