Регистрация / Вход
Прислать материал

Влияние термообработки на величину магнитострикции микропроводов

ФИО: Сударчикова В.А.

Направление: Нанотехнологии

Научный руководитель: Чурюканова Маргарита Николаевна

Институт: Институт новых материалов и нанотехнологий

Кафедра: Кафедра Физической химии

Академическая группа: МФХ-14-1

Целью данной работы является оценка влияния термообработки на величину магнитострикции аморфного микропровода в стеклянной оболочке. Для исследования были выбраны микропровода состава Fe69B15Si10C6, Fe47.42Ni26.6Si11B12.99C1.99 и Fe3.9Co67Ni1.5Si14.5B11.5Mo1.6, полученные методом Тейлора-Улитовского.

Из литературных данных известно, что величиной магнитострикции насыщения можно управлять, используя в качестве факторов влияния химический состав, геометрические параметры аморфного сплава и различные отжиги. Поскольку в аморфных сплавах сильно выражен кроссовер эффект, магнитострикция сильно зависит от степени композиционного порядка, что приводит к зависимости ее от температуры отжига.

С помощью метода дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК) определены температура Кюри и температура начала кристаллизации, что позволило подобрать температуры отжига образцов.

Методом малоуглового вращения вектора намагниченности для всех выбранных аморфных микропроводов в исходном состоянии измерена константа магнитострикции насыщения.

Изучена зависимость величины магнитострикции от времени отжига при различных температурах ниже температуры начала кристаллизации, но выше температуры Кюри. Показано, что с ростом времени отжига значение константы магнитострикции меняется по кривой с максимумом.

Анализ полученных результатов позволил сделать вывод о том, что подбором соответствующего режима термообработки можно существенно менять величину магнитострикции микропроводов, а соответственно, и их магнитные свойства.

Рентгеноструктурные исследования микропроводов после различных режимов термообработки подтвердили присутствие в аморфной фазе первичных кристаллов. Таким образом, метод малоуглового вращения вектора намагниченности дает возможность определять в микропроводах самые начальные стадии кристаллизации аморфной фазы, не прибегая к дифракционным исследованиям.