Регистрация / Вход
Прислать материал

Генерация излучения терагерцового и мультитерагерцового диапазонов при нелинейном взаимодействии мод в полупроводниковых лазерах на основе наноструктур А3В5.

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Выполнение этапа проекта
Проект
02.442.11.7116
Организация
ИПФ РАН
Продолжительность работ
2005, 1 мес.
Бюджетные средства
0,36 млн
Внебюджетные средства
0 млн

Информация отсутствует

Этапы проекта

1
27.10.2005 - 25.11.2005
В ходе выполнения проекта были предложены несколько конструкций лазера на основе наноструктуры InGaAs/GaAs/InGaP, обеспечивающих генерацию двух лазерных мод в диапазоне 1 мкм и эффективную генерацию разностной гармоники в среднем и дальнем ИК диапазонах. Было проведено экспериментальное исследование одновременной генерации нескольких частотных полос стимулированного излучения в ближнем инфракрасном (ИК) диапазоне в полупроводниковом лазере с тремя квантовыми ямами (КЯ) GaAs/InGaAs. Обнаружено, что в таких лазерах возможна одновременная генерация стимулированного излучения в двух и трех частотных полосах. Исследованы зависимости мощности генерации в различных полосах от тока накачки. Было экспериментально исследовано одновременная генерация нескольких линий стимулированного излучения в ближнем инфракрасном (ИК) диапазоне в «двухчиповых» полупроводниковых лазерах с составным резонатором, состоящих из расположенных на одной платформе практически встык двух одночастотных инжекционных полупроводниковых лазеров с квантовыми ямами с несколько различающимися длинами волн генерации в области 1 мкм.
В полупроводниковом лазере, генерирующем две полосы излучения с энергетической разностью между пиками 50 мэВ (λ~25 мкм), с помощью широкополосного приемника (Si:B) зарегистрировано излучение в среднем ИК диапазоне, которое предположительно связанно с генерацией разностной гармоники.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники" на 2002-2006 годы

Программное мероприятие

1.9 Проведение молодыми учеными научных исследований по приоритетным направлениям науки, высоких технологий и образования
Продолжительность работ
2009 - 2011, 20 мес.
Бюджетные средства
3,6 млн
Организация
ИПФ РАН
профинансировано
Тема
Источники и приемники терагерцового диапазона на основе полупроводниковых наноструктур Si/Ge и A3B5.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1
Тема
Наноструктуры для полупроводниковых лазеров и генерации ультракоротких импульсов света.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1
Тема
Исследование полупроводниковых наноструктур для генераторов микроволнового излучения и поляритонных лазеров.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1
Тема
Туннельно-связанные полупроводниковые наноструктуры для эпитаксиально-интегрированных мощных источников излучения.
Продолжительность работ
2008 - 2009, 14 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Количество заявок
1
Тема
Исследование перспективных типов сверхвысокочастотных приборов и структур, разработка технологических принципов их изготовления (полупроводниковый приемник для терагерцового диапазона частот 0,5 – 5,0 ТГц).
Продолжительность работ
2013 - 2015, 25 мес.
Бюджетные средства
19,5 млн
Количество заявок
1