Генерация излучения терагерцового и мультитерагерцового диапазонов при нелинейном взаимодействии мод в полупроводниковых лазерах на основе наноструктур А3В5.

В ходе выполнения проекта были предложены несколько конструкций лазера на основе наноструктуры InGaAs/GaAs/InGaP, обеспечивающих генерацию двух лазерных мод в диапазоне 1 мкм и эффективную генерацию разностной гармоники в среднем и дальнем ИК диапазонах. Было проведено экспериментальное исследование одновременной генерации нескольких частотных полос стимулированного излучения в ближнем инфракрасном (ИК) диапазоне в полупроводниковом лазере с тремя квантовыми ямами (КЯ) GaAs/InGaAs. Обнаружено, что в таких лазерах возможна одновременная генерация стимулированного излучения в двух и трех частотных полосах. Исследованы зависимости мощности генерации в различных полосах от тока накачки. Было экспериментально исследовано одновременная генерация нескольких линий стимулированного излучения в ближнем инфракрасном (ИК) диапазоне в «двухчиповых» полупроводниковых лазерах с составным резонатором, состоящих из расположенных на одной платформе практически встык двух одночастотных инжекционных полупроводниковых лазеров с квантовыми ямами с несколько различающимися длинами волн генерации в области 1 мкм.
В полупроводниковом лазере, генерирующем две полосы излучения с энергетической разностью между пиками 50 мэВ (λ~25 мкм), с помощью широкополосного приемника (Si:B) зарегистрировано излучение в среднем ИК диапазоне, которое предположительно связанно с генерацией разностной гармоники.