Выполнение исследования усиления и генерации излучения терагерцового диапазона частот слоистыми полупроводниковыми наноструктурами во время проведения стажировки в Физическом институте университета И.В.Гете г. Франкфурт-на-Майне (Германия).
Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Выполнение этапа проекта
Продолжительность работ
2005, 2 мес.
Бюджетные средства
0,2 млн
Внебюджетные средства
0 млн
Проведение стажировок в зарубежных научно-образовательных центрах
Соисполнители
Организация
Физический институт, университет И.В.Гете
Этапы проекта
1
05.09.2005 - 04.11.2005
Проведенная научно-исследовательская работа в период стажировки (с 5 сентября 2005 г. по 4 ноября 2005 г.) обеспечила повышение научно-педагогической квалификации стажера (доцента каф. электроники радиофизического факультета Нижегородского государственного университета им. Н.И.Лобачевского Демариной Н.В.), совершенствование учебного процесса на радиофизическом факультете Нижегородского государственного университета им. Н.И.Лобачевского.
Стажером были осуществлены следующие мероприятия:
Изучение современного состояния научных исследований в области физики полупроводниковых наноструктур, а именно, изучение электрических и оптических свойств полупроводниковых сверхрешеток для создания на их основе источника терагерцового излучения и сбор необходимой информации;
Получение консультаций по вопросам научных исследований по темам
«Особенности генерации носителей заряда в полупроводниковых сверхрешетках с помощью импульса света фемтосекундной длительности»;
«Возможности подавления формирования доменов сильного электрического поля в полупроводниковых сверхрешетках с оптически возбужденными носителями»;
Освоение методик научных исследований по теме
«Использование фемтосекундной лазерной спектроскопии для измерения оптических и электрических свойств электрически смещенной GaAs/AlGaAs сверхрешетки с оптически возбужденными носителями заряда».
Проведение экспериментальных исследований по теме
«Особенности дрейфа носителей заряда в электрически смещенной полупроводниковой сверхрешетке после оптического возбуждения импульсом света фемосекундной длительности»;
Участие в конференции (14-ой международной) по технологии гетероструктур HETECH 05 (Словакия, 2-6 октября 2005 г.) в качестве докладчика с устным докладом «Amplification of radiation at harmonics of a high-frequency field: approach to electrically pumped superlattice oscillator for THz frequency range» (N. V. Demarina);
Подбор необходимых учебно-методических материалов по дисциплинам:
«Полупроводниковая электроника»,
«Транспорт носителей заряда в полупроводниковых сверхрешетках»;
Проведение детальных теоретических исследований транспорта оптически возбужденных носителей заряда в полупроводниковой сверхрешетке с помощью метода Монте-Карло.
В результате стажировки, были выработаны рекомендаций по параметрам полупроводниковых сверхрешеток для дальнейшиx экспериментов по изучению их усилительных свойств для терагерцового излучения; укреплено научное сотрудничество между исследователями кафедры электроники ННГУ и группы фемтосекундной лазерной спектроскопии и терагерцовой физики Физического Института университета Франкфурта-на-Майне. Это привело к появлению общей заявки для привлечения финансирования этой работы из других источников (INTAS для молодых ученых Ref. Nr 05-109-5201).
Стажером были осуществлены следующие мероприятия:
Изучение современного состояния научных исследований в области физики полупроводниковых наноструктур, а именно, изучение электрических и оптических свойств полупроводниковых сверхрешеток для создания на их основе источника терагерцового излучения и сбор необходимой информации;
Получение консультаций по вопросам научных исследований по темам
«Особенности генерации носителей заряда в полупроводниковых сверхрешетках с помощью импульса света фемтосекундной длительности»;
«Возможности подавления формирования доменов сильного электрического поля в полупроводниковых сверхрешетках с оптически возбужденными носителями»;
Освоение методик научных исследований по теме
«Использование фемтосекундной лазерной спектроскопии для измерения оптических и электрических свойств электрически смещенной GaAs/AlGaAs сверхрешетки с оптически возбужденными носителями заряда».
Проведение экспериментальных исследований по теме
«Особенности дрейфа носителей заряда в электрически смещенной полупроводниковой сверхрешетке после оптического возбуждения импульсом света фемосекундной длительности»;
Участие в конференции (14-ой международной) по технологии гетероструктур HETECH 05 (Словакия, 2-6 октября 2005 г.) в качестве докладчика с устным докладом «Amplification of radiation at harmonics of a high-frequency field: approach to electrically pumped superlattice oscillator for THz frequency range» (N. V. Demarina);
Подбор необходимых учебно-методических материалов по дисциплинам:
«Полупроводниковая электроника»,
«Транспорт носителей заряда в полупроводниковых сверхрешетках»;
Проведение детальных теоретических исследований транспорта оптически возбужденных носителей заряда в полупроводниковой сверхрешетке с помощью метода Монте-Карло.
В результате стажировки, были выработаны рекомендаций по параметрам полупроводниковых сверхрешеток для дальнейшиx экспериментов по изучению их усилительных свойств для терагерцового излучения; укреплено научное сотрудничество между исследователями кафедры электроники ННГУ и группы фемтосекундной лазерной спектроскопии и терагерцовой физики Физического Института университета Франкфурта-на-Майне. Это привело к появлению общей заявки для привлечения финансирования этой работы из других источников (INTAS для молодых ученых Ref. Nr 05-109-5201).
Программа
Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники" на 2002-2006 годы
Программное мероприятие
1.11 Развитие системы стажировок молодых ученых и преподавателей в крупных научно-образовательных центрах (включая зарубежные) и участие в конференциях, симпозиумах, семинарах, школах (в том числе за рубежом)
Продолжительность работ
2005, 3 мес.
Бюджетные средства
0,42 млн
Организация
Томский государственный университет, НИ ТГУ, ТГУ
профинансировано
профинансировано
Продолжительность работ
2005, 1 мес.
Бюджетные средства
0,44 млн
Организация
ФГБОУ ВО "МГТУ "СТАНКИН"
профинансировано
Продолжительность работ
2005, 1 мес.
Бюджетные средства
0,44 млн
Организация
ФГБОУ ВО "МГТУ "СТАНКИН"
профинансировано
Продолжительность работ
2005, 1 мес.
Бюджетные средства
0,29 млн
Организация
ФГБНУ ФНЦ ВИЖ им.Л.К.Эрнста
профинансировано