"Исследование свойств наносистем и кристаллических материалов".

При выполнении НИР по контракту исследована зависимость пропускания взвешенных в D2O одностенных углеродных нанотрубок, от интенсивности излучения на длине волны 1.54 мкм. При длительности импульса 250 нс и максимальной интенсивности на входе в кювету 40 МВт/см2 уменьшение коэффициента поглощения составило 3.6 см-1, при коэффициенте поглощения в слабом поле около 17 см-1. Оценка интенсивности насыщения поглощения дала значение Is=106 Вт/см2. Получен режим модуляции добротности и самосинхронизации мод лазера на стекле с Er3+ при использовании в качестве пассивного затвора кюветы с взвешенными в D2O ОУН. Длительность импульсов синхронизации мод была короче 1 нс, что определялось временным разрешением использовавшейся регистрирующей аппаратуры.
Проведено исследование нелинейного пропускания в кристаллах ZnSe с различным содержанием примеси Co2+. Найденные остаточные потери меняются от образца к образцу, причем, значение величины  лежит в диапазоне от 1 (нет остаточных потерь) до 0.66, что указывает на отсутствие поглощения из возбужденного состояния. Вероятнее всего, остаточные потери связаны с технологией выращивания и легирования образцов. Исходя из экспериментальных данных, определены значения энергии насыщения - Es=0.12 0.03 Дж/см2 и сечения поглощения из основного состояния - =(11 2).10-19 см2.
Методом спектроскопии комбинационного рассеяния (КР) света исследована структура нанокомпозитов с матрицами из полиэтилена (ПЭ) и изотактического полипропилена (ПП) и с различными массовыми содержаниями наполнителя, состоящего из Na+-монтмориллонита, модифицированного различными количествами четвертичной аммониевой соли. Исследованы спектры КР сополимеров этилен-пропилен в широком диапазоне процентного соотношения мономеров, а также серия из 13 нормальных парафинов CnH2n+2 с n от 5 до 17.
Теоретически исследовано многофононное комбинационное рассеяние света. Рассмотрено резонансное КР на 2LO фононах в кристаллах CdS и ZnO при возбуждении в широкой частотной области ниже края поглощения в рамках экситонной модели и в приближении несвязанных электронно-дырочных пар. Получено выражение для сечения комбинационного рассеяния на 3LO фононах ниже экситонных резонансов. Выполнен анализ резонансного КР на 3LO фононах в кристалле CdS. Рассмотрено сечение КР на 3LO и 4LO фононах в зависимости от волнового вектора, преданного фононной системе.
Были исследованы зависимости показателя преломления на резонансной частоте излучения от степени насыщения усиления таких лазерных сред как ИАГ:Nd, ОАИ:Nd. Было показано, что изменение показателя преломления обусловлено не только разностью поляризуемости основного и возбужденных состояний иона Nd, но и зависимостью тепловыделения от степени насыщения лазерной среды. Так при малом угле пересечения взаимодействующих пучков и при большой длительности взаимодействия температурные решетки изменения показателя преломления могут играть существенную роль при вырожденных взаимодействиях в насыщенной лазерной среде. Полученные данные могут быть использованы при создании адаптивных твердотельных лазерных систем с обращением волнового фронта излучения при вырожденном четырехволновом смещении в насыщенной лазерной среде и для учета динамических искажений волнового фронта излучения в лазерных системах.