Регистрация / Вход
Прислать материал

"Многокомпонентные полупроводниковые материалы со специальными свойствами и наноструктуры на их основе".

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Выполнение этапа проекта
Проект
02.445.11.7069

«Развитие системы ведущих научных школ как среды генерации знаний и подготовки научно-педагогических кадров высшей квалификации»

Этапы проекта

1
05.09.2005 - 04.11.2005
В результате проведенных работ установлено:
1. Применение сплавов на основе теллурида свинца, легированных элементами III группы, в качестве базовых элементов чувствительных инфракрасных фотоприемных систем может существенно увеличить возможности приборов. Рассматриваемые материалы обладают рядом уникальных свойств, таких как внутреннее интегрирование падающего светового потока, возможность быстрого и эффективного гашения накопленного сигнала, высокой квантовой эффективностью и возможностью ее увеличения до 102 с помощью СВЧ-импульсов, возможностью создания «непрерывной» матрицы инфракрасного изображения, возможностью использования нового способа считывания информации с такой матрицы, высокой радиационной стойкостью. Отмеченные свойства позволяют фотоприемникам на базе легированных сплавов теллурида свинца успешно конкурировать с наиболее совершенными аналогами.
2. В рамках задачи по исследованию энергетического спектра узкозонных полупроводников, установлено, что легирование сплавов Pb1-xSnxTe галлием приводит к образованию двух различных глубоких уровней, которые в зависимости от состава сплава и концентрации легирующей примеси могут стабилизировать уровень Ферми в запрещенной зоне или в зоне проводимости. Построена диаграмма перестройки энергетического спектра носителей заряда и движения уровня Ферми при изменении состава сплава и давления.
3. Импеданс нанокристаллической керамики SnO2 со средним размером кристаллита от 3 до 43 нм исследован в диапазоне частот от 1 до 106 Гц при температурах T от 25 до 300оС в атмосфере сухого кислорода.. Анализ экспериментальных данных, проведенный с использованием графоаналитического метода, позволил разделить вклады в проводимость образцов, обусловленные объемом зерен и межкристаллитными границами. Показано, что с точки зрения получения газовых сенсоров с оптимально работающей эффективной поверхностью, определяющей газовую чувствительность, целесообразно использовать оксиды с размером нанокристаллита менее 25 нм.
4. Методом анализа циклических вольтамограмм получено высокоточное приближение для функции плотности электронных состояний в нанопористом TiO2, заполненном раствором электролита. Показано, что плотность состояний в запрещенной зоне возрастает у пористого TiO2 c размерами частиц 10 нм и 30 нм и практически не зависит от температуры в пористом TiO2 с размером частиц 20 нм.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники" на 2002-2006 годы

Программное мероприятие

1.12 Развитие системы ведущих научных школ как среды генерации знаний и подготовки научно-педагогических кадров высшей квалификации
Продолжительность работ
2005, 2 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Организация
ИФТТ РАН
профинансировано
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Организация
ФИАН
профинансировано
Тема
Наноструктуры для полупроводниковых лазеров и генерации ультракоротких импульсов света.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1
Тема
Исследование условий формирования и свойств низкоразмерных наноструктур на поверхности полупроводников.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
3
Тема
Развитие системы ведущих научных школ как среды генерации знаний и подготовки научно-педагогических кадров высшей квалификации. Проведение научно-исследовательских работ по приоритетным направлениям Программы
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
300 млн
Количество заявок
753
Тема
Атомные процессы и технологии изготовления твердотельных полупроводниковых наноструктур.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1
Тема
Источники и приемники терагерцового диапазона на основе полупроводниковых наноструктур Si/Ge и A3B5.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1