"Поиск и исследования методов получения новых элементов и материалов для оптоэлектроники и волоконной оптики".

В рамках НИР была разработана технология выращивания высококачественных монокристаллов YVO4 и Tb3Ga5O12 крупных размеров. Были отработаны режимы роста волокон иттрий-алюминиевого граната и ZrO2-Y2O3 длиной до 200мм и диаметром от 400мкм до 600мкм, исследованы профили показателя преломления для волокон с разными концентрационными соотношениями компонентов и легирующих добавок, а также скоростей вытягивания. Исследованы спектрально-люминесцентные и генерационные (при использовании различных геометрий диодной накачки поперечной диодной накачки) характеристики эпитаксиальных и волоконных активных элементов твердотельных Nd3+ и Cr4+ -лазеров, определены концентрации активаторов в образцах; исследована эффективность теплоотвода от активных элементов для оптимизации параметров генерации при диодной накачке образцов пленочных и волоконных монокристаллических лазерных элементов. Исследованы поляризованные спектры поглощения и люминесценции, а также времена жизни возбужденных состояний монокристаллов разупорядоченных шеелитоподобных Ce,Er:NaLa(MoO4)2 в зависимости от концентрации церия, показано положительное (с точки зрения получения эффективной полуторамикронной лазерной генерации) и весьма селективное влияние церия на динамику заселенности верхнего лазерного уровня ионов эрбия. Выращены высококачественные монокристаллы Ce,Er:NaLa(WO4)2 с концентрациями эрбия 1% и концентрациями церия от 0 до 50 ат.% для дальнейших исследований. Исследованы зависимости спектрально-люминесцентных свойств монокристаллов форстерита с хромом от соотношения легирующих примесей и технологических параметров выращивания кристаллов. Отработана технология получения прозрачной стеклокерамики на основе Cr4+:LiGaSiO4. Получены зависимости скоростей нуклеации и разращивания кристаллитов в маточном стекле от температуры отжига. Теоретически и экспериментально исследован новый тип полностью оптических транзисторов на основе явления самопереключения света в тунельно-связанных солитонах в полупроводниковых эпитаксиальных гетероструктурах.