"Ионный синтез и исследование новых нанокомпозитных материалов для нано-, оптоэлектроники и спинтроники".
Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Выполнение этапа проекта
Проект
02.445.11.7197
Организация
ФИЦ КазНЦ РАН
Продолжительность работ
2005, 2 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Внебюджетные средства
0 млн
«Развитие системы ведущих научных школ как среды генерации знаний и подготовки научно-педагогических кадров высшей квалификации»
Этапы проекта
1
05.09.2005 - 04.11.2005
В результате проведенных исследований установлено следующее:
1. Продемонстрирована принципиальная возможность синтеза наночастиц меди в объеме сапфировой подложки на глубинах в несколько десятков нанометров, требуемых для миниатюрных оптоэлектронных устройств. Установлено, что использование высоких плотностей ионного тока при имплантации Al2O3 ионами Cu+ ведет к увеличению размеров металлических наночастиц (МН), вероятнее всего, как результат разогрева подложки и увеличения диффузионной подвижности ионов меди.
2. Обнаружено, что в результате облучения имплантированных материалов мощными импульсами эксимерного лазера, происходит уменьшение среднего размера МН, и как следствие, уменьшения их разброса по размерам.
3. С использованием метода ИИ с последующим термическим отжигом синтезированы наночастицы золота в приповерхностном объеме Al2O3 Как результат, был сформирован новый нелинейно-оптический композиционный материал Au:Al2O3 проявляющий эффект самодефокусировки и характеризующийся высоким значением Re(3).
4. Проведены исследования оптических свойств и низкотемпературной проводимости алмазоподобных пленок углерода, имплантированных ионами меди в широком интервале доз имплантации.
5. Получены зависимости эффективной оптической щели Тауца ЕgT и параметра прыжковой проводимости Т01/4 от дозы имплантации.
6. Показано, что термический отжиг пленок углерода, имплантированных низкими дозами ионов меди, когда наночастицы меди не формируются, ведет к изменению оптических и электрических свойств, характерных для не имплантированных образцов.
1. Продемонстрирована принципиальная возможность синтеза наночастиц меди в объеме сапфировой подложки на глубинах в несколько десятков нанометров, требуемых для миниатюрных оптоэлектронных устройств. Установлено, что использование высоких плотностей ионного тока при имплантации Al2O3 ионами Cu+ ведет к увеличению размеров металлических наночастиц (МН), вероятнее всего, как результат разогрева подложки и увеличения диффузионной подвижности ионов меди.
2. Обнаружено, что в результате облучения имплантированных материалов мощными импульсами эксимерного лазера, происходит уменьшение среднего размера МН, и как следствие, уменьшения их разброса по размерам.
3. С использованием метода ИИ с последующим термическим отжигом синтезированы наночастицы золота в приповерхностном объеме Al2O3 Как результат, был сформирован новый нелинейно-оптический композиционный материал Au:Al2O3 проявляющий эффект самодефокусировки и характеризующийся высоким значением Re(3).
4. Проведены исследования оптических свойств и низкотемпературной проводимости алмазоподобных пленок углерода, имплантированных ионами меди в широком интервале доз имплантации.
5. Получены зависимости эффективной оптической щели Тауца ЕgT и параметра прыжковой проводимости Т01/4 от дозы имплантации.
6. Показано, что термический отжиг пленок углерода, имплантированных низкими дозами ионов меди, когда наночастицы меди не формируются, ведет к изменению оптических и электрических свойств, характерных для не имплантированных образцов.
Программа
Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники" на 2002-2006 годы
Программное мероприятие
1.12 Развитие системы ведущих научных школ как среды генерации знаний и подготовки научно-педагогических кадров высшей квалификации
профинансировано
профинансировано
Продолжительность работ
2005, 2 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Организация
АО "НИТИОМ ВНЦ "ГОИ им. С.И.Вавилова"
профинансировано
"Исследование физических процессов в кремнии и широкозонных материалах с целью создания принципиально новых приборов силовой электроники и оптоэлектроники".
профинансировано
профинансировано