"Электроные и фононные состояния, неравновесные процессы и коллективные эффекты в полупроводниках и квантово-размерных структурах на их основе, выполняемое коллективом научной школы Багаева Виктора Сергеевича и Сибельцына Николая Николаевича".

Отработана и оптимизирована технология получения методом магнетронного радиочастотного распыления тонких магнитных, металлических и полупроводниковых пленок и магнитных наноструктур на их основе.
  В спектрах фотолюминесценции буферных слоев Si и SiGe кремний-германиевых гетероструктур, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии, обнаружены линии излучения многоэкситонных примесных комплексов и электронно-дырочной жидкости.
  Полученные при исследовании фотолюминесценции высококачественных сверхрешеток PbTe/SnTe результаты могут быть объяснены в модели симметричного инверсного контакта, в котором образуются интерфейсные состояния вейлевского типа.
  Проведенные исследования кристаллического ZnTe, полученного с помощью различных модификаций неравновесного низкотемпературного синтеза, показали:
- доминирующую роль диффузионных процессов при образовании сложных комплексов, определяющих электрофизические свойства кристаллов ZnTe и CdTe;
- минимизацию количества протяженных дефектов (дислокации, включения второй фазы);
- существенные изменения в распределении доноров и акцепторов при неравновесном росте;
- возможность изменения морфологии получаемых кристаллов (направления роста [110], [111], [100], [113], образование различных кристаллических форм, таких как столбчатые, волокнистые и пластинчатые структуры);
  - в зависимости от конкретных условий роста наблюдается смена лидирующего дефекта решетки.
Развитие неравновесных методов синтеза кристаллов полупроводниковых соединений II-VI позволяет добиться практически значимых результатов.