Регистрация / Вход
Прислать материал

"Электроные и фононные состояния, неравновесные процессы и коллективные эффекты в полупроводниках и квантово-размерных структурах на их основе, выполняемое коллективом научной школы Багаева Виктора Сергеевича и Сибельцына Николая Николаевича".

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Выполнение этапа проекта
Проект
02.445.11.7248
Организация
ФИАН

«Развитие системы ведущих научных школ как среды генерации знаний и подготовки научно-педагогических кадров высшей квалификации»

Этапы проекта

1
05.09.2005 - 04.11.2005
Отработана и оптимизирована технология получения методом магнетронного радиочастотного распыления тонких магнитных, металлических и полупроводниковых пленок и магнитных наноструктур на их основе.
  В спектрах фотолюминесценции буферных слоев Si и SiGe кремний-германиевых гетероструктур, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии, обнаружены линии излучения многоэкситонных примесных комплексов и электронно-дырочной жидкости.
  Полученные при исследовании фотолюминесценции высококачественных сверхрешеток PbTe/SnTe результаты могут быть объяснены в модели симметричного инверсного контакта, в котором образуются интерфейсные состояния вейлевского типа.
  Проведенные исследования кристаллического ZnTe, полученного с помощью различных модификаций неравновесного низкотемпературного синтеза, показали:
- доминирующую роль диффузионных процессов при образовании сложных комплексов, определяющих электрофизические свойства кристаллов ZnTe и CdTe;
- минимизацию количества протяженных дефектов (дислокации, включения второй фазы);
- существенные изменения в распределении доноров и акцепторов при неравновесном росте;
- возможность изменения морфологии получаемых кристаллов (направления роста [110], [111], [100], [113], образование различных кристаллических форм, таких как столбчатые, волокнистые и пластинчатые структуры);
  - в зависимости от конкретных условий роста наблюдается смена лидирующего дефекта решетки.
Развитие неравновесных методов синтеза кристаллов полупроводниковых соединений II-VI позволяет добиться практически значимых результатов.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники" на 2002-2006 годы

Программное мероприятие

1.12 Развитие системы ведущих научных школ как среды генерации знаний и подготовки научно-педагогических кадров высшей квалификации
Продолжительность работ
2005, 2 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Организация
ИТ СО РАН
профинансировано
Продолжительность работ
2005, 2 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
профинансировано
Продолжительность работ
2005, 2 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
профинансировано
Тема
Развитие системы ведущих научных школ как среды генерации знаний и подготовки научно-педагогических кадров высшей квалификации. Проведение научно-исследовательских работ по приоритетным направлениям Программы
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
300 млн
Количество заявок
753
Тема
Неравновесные газодинамические процессы при синтезе наносистем.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1
Тема
Изучение низкоразмерных сильно-коррелированных электронных систем в полупроводниках и сверхпроводниках с применением сильных магнитных полей, низких температур и высоких давлений.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
2
Тема
Выполнение научно-исследовательских работ по приоритетным направлениям Программы и поисковых исследований фундаментального характера молодыми учеными и преподавателями, проходящими стажировку в крупном российском научном (научно-образовательном) центре.
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
25 млн
Количество заявок
27
Тема
Теоретические исследования квантовых систем, наноструктур и экстремальных состояний вещества.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
2