Развитие системы ведущих научных школ как среды генерации знаний и подготовки научно-педагогических кадров высшей квалификации. Выполнение научно-исследовательских работ по приоритетным направлениям Программы. "Развитие фундаментальных основ лазерных микротехнологий при создании интегральных оптических элементов информационно-телекоммуникационных систем".

В результате проведения работы получены следующие основные результаты:
1. Показано, что спектры поглощения закристаллизованных фоточувствительных стекол облученных излучением УФ-диапазона с последующим длительным нагреванием в печи и при кратковпеменном воздействии только излучения СО2-лазера практически идентичны.
2. Разработана модель быстрой кристаллизации стекол в неравновесных условиях, согласно которой при температурах выше температуры стеклования система стремится к равновесному состоянию за счет перераспределения концентрации вакансий (уменьшение в одних областях и увеличение в других). Области с малой концентрацией вакансий проявляют при этом свойства кристалла.
3. Экспериментально показано, что существуют режимы лазерного переноса, при которых пленки окислов и силицидов переходных металлов имеют отрицательный температурный коэффициент сопротивления, свидетельствующий об их полупроводниковых свойствах.
Выявлены условия и созданы установки ,лазерного переноса окислов и силицидов переходных металлов, приводящие к формированию полупроводниковых пленок этих материалов,
Для анализа особенностей быстрой кристаллизации фоточувствительных стекол при лазерных воздействиях применен спектральный анализ их оптических свойств и исследование растворимости исходных и модифицированных материалов.
Модель быстрой кристаллизации при температурах выше температуры стеклования основана на представлениях о структуре расплава как о кристалле, деформированном вакансиями.
Для исследования возможности получения методом локального лазерного переноса пленок узкозонных полупроводников на основе окислов и силицидов переходных металлов созданы лазерные установки, на которых возможна реализация различных схем и условий переноса.