Развитие системы ведущих научных школ как среды генерации знаний и подготовки научно-педагогических кадров высшей квалификации. Выполнение научно-исследовательских работ по приоритетным направлениям Программы. "Изучение свойств низкоразмерных сильно-коррелированных электронных систем с целью создания новых органических и неорганических полупроводниковых и сверхпроводниковых наноструктурированных материалов".

Исследованы органические вещества полициклического ряда - Pyrene, Chrysene, Perylene, Coronene, Rubrene. Определены условия роста и выращены монокристаллы этих веществ методом физического транспорта в газовой фазе. Установлены наиболее перспективные вещества для дальнейших исследований.
Созданы и исследованы структуры металл-диэлектрик-полупроводник на основе выращенных кристаллов молекулярных органических полупроводников. Изучен транспорт заряда при изменении размерности от 3 до 2 в зависимости от приложенного электрического поля и давления.
В квазиодномерном органическом соединении (TMTSF)2PF6 изучены транспортные свойства при изменении размерности от 3 до 1. Выяснена природа осцилляций магнитосопротивления в диэлектрической фазе волны спиновой плотности.
Исследованы свойства двумерной сильно-коррелированной электронной системы в кремнии в спин-поляризованном состоянии. Полученные результаты позволили сделать выбор в пользу одной из теоретических моделей.
Впервые измерена скорость междолинной релаксации, определяющей температурную границу металлического состояния; установлено, что междолинные перебросы имеют упругий характер и практически не зависят от температуры.
Исследован фотогальванический эффект (ФГЭ) в асимметричных квантово-размерных (АКР) структурах. Показано, что его величина в больших полях и при интенсивности света ~20 мВт/см2 может достигать Вольта на мм длины образца. Это позволяет использовать ФГЭ в АКР структурах для создания миниатюрных чувствительных элементов устройств регистрации.
Исследован механизм высокотемпературной сверхпроводимости в купратных материалах; объяснены «сверхпроводящая» и «магнитная» фазовые диаграммы этих соединений и показано, что их особенности отражают свойства кристаллической решетки и конкуренцию между различными типами упорядочения допанта. Дано объяснение природы псевдощелевой фазы, механизма генерации дырочных носителей и экспериментально наблюдаемых спиновых текстур.
Исследована возможность практического применения ВТСП материалов в электротехнике; создан и испытан макет ВТСП токоограничителя. Результаты подтверждают правильность физических принципов, заложенных в основу конструкции токоограничителя с ВТСП ключом и наличие у предложенной схемы преимуществ по сравнению с другими известными схемами.
В соответствии с техническим заданием результаты работы приняты в печать и опубликованы в ведущих научных журналах - 17 статей, направлены в печать - 3 статьи, содержащих информацию о результатах интеллектуальной деятельности, полученных в рамках выполнения проекта, а также доложены в 21 докладе на международных и 2х докладах на Российских конференциях.