Регистрация / Вход
Прислать материал

Развитие системы ведущих научных школ как среды генерации знаний и подготовки научно-педагогических кадров высшей квалификации. Выполнение научно-исследовательских работ по приоритетным направлениям Программы. "Технология и физические свойства полупроводниковых наноструктур".

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Выполнение этапа проекта
Проект
02.445.11.7268
Организация
ФТИ им. А.Ф.Иоффе

Выполнение научно-исследовательских работ по приоритетным направлениям программы: «Информационно-телекоммуникационные системы», «Индустрия наносистем и материалы», «Живые системы», «Рациональное природопользование», «Энергетика и энергосбережение», «Безопасность и противодействие терроризму» и развитие на этой основе ведущих научных школ (в том числе улучшение их квалификационной и возрастной структуры).

Этапы проекта

1
09.06.2006 - 02.10.2006
Впервые создана кинетическая модель само-формирования А3В5 и А2В6 квантовых точек, наиболее полно описывающая строго неравновесный процесс, имеющий место быть при молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ).
Методом МПЭ получены наноструктуры типа II InSb/InAs(Sb) с массивом квантовых точек InSb, свойства которого управляются количеством нанесенного материала.
Обнаружен (впервые в мировой практике) и интерпретирован на основе модели, рассматривающей взаимодействие поверхностных плазмонов с электрическими диполями, ряд аномальных эффектов в люминесценции системы с металлическими кластерами InN-In: усиление интенсивности излучения около металлических кластеров, р-поляризация, характерный несимметричный пик в спектрах возбуждения.
Разработана технология создания методом МПЭ гибридных гетероструктур с гетеровалентными интерфейсами: полумагнитных двойных квантовых ям GaAs/AlGaAs/ZnSe/ZnCdMnSe и структур AlGaAsSb/InAsSb/CdSeTe.
В специально-сконструированной структуре со слабо-связанными квантовыми ямами реализован наносекундный диапазон времен жизни (~ 10 нс – время жизни экситона и ~ 5 нс – время спиновой релаксации), что представляет значительный интерес для спинтронных применений.
Продемонстрирована лазерная генерация на длине волны 3.86 мкм (температура 60К) при инжекционной импульсной накачке в двойной гибридной AlGaAsSb/InAsSb/CdSeTe гетероструктуре с активной областью, представляющей собой пять одномонослойных InSb вставок в InAsSb-волноводном слое толщиной 0.6 мкм.
Продемонстрирована возможность создания А2В6–А3N оптического лазерного конвертера с высоким уровнем квантовой эффективности.
Исследованы механизмы роста слоев InGaN с большой (20-70%) концентрацией In: показано, что предпочтительным является метод с плазменной активацией азота, который позволил получить фотолюминесценцию в спектральном диапазоне 470-650°нм при средней концентрации индия 0.3-0.5, обладающих сравнительно высокой эффективностью излучательной рекомбинации при комнатной температуре.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники" на 2002-2006 годы

Программное мероприятие

1.12 Развитие системы ведущих научных школ как среды генерации знаний и подготовки научно-педагогических кадров высшей квалификации
Тема
Развитие системы ведущих научных школ как среды генерации знаний и подготовки научно-педагогических кадров высшей квалификации. Выполнение научно-исследовательских работ по приоритетным направлениям Программы.
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
320 млн
Количество заявок
600
Тема
Наноструктуры для полупроводниковых лазеров и генерации ультракоротких импульсов света.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1
Тема
Исследование условий формирования и свойств низкоразмерных наноструктур на поверхности полупроводников.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
3
Тема
Атомные процессы и технологии изготовления твердотельных полупроводниковых наноструктур.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1
Тема
Источники и приемники терагерцового диапазона на основе полупроводниковых наноструктур Si/Ge и A3B5.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1