Развитие системы ведущих научных школ как среды генерации знаний и подготовки научно-педагогических кадров высшей квалификации. Выполнение научно-исследовательских работ по приоритетным направлениям Программы. "Исследование процессов получения квантоворазмерных наноструктур при молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых материалов типа А3В5, А4В4 и А2В6 для приборных применений".

Проведен анализ опубликованных данных по каждому из разделов работы.
Проведен выбор направления исследований для каждого из разделов работы. Разработан и изготовлен модернизированный дифрактометр быстрых электронов с программным обеспечением.
Оптимизированы процессы синтеза гетероструктур на основе полупроводниковых соединений А3В5, А2В6 и наноструктур с квантовыми точками Ge в Si предельно малых размеров (<10 нм) распределенных на Si с поверхностной плотностью до (3-8)х1012 см-2 при однородности эффективных толщин пленок не хуже 5% и разбросом размеров квантовых точек не хуже 17%.
На основе двумерного электронного газа в AlGaAs/GaAs мембране создан одноэлектронный транзистор, работающий на эффекте кулоновской блокады - двухбарьерная структура с квантовой точкой. Изготовлены тестовые приборные структуры и проведено исследование их электрофизических и оптических свойств. Зависимость проводимости квантовой точки от тянущего и затворного напряжений имеет ромбовидную структуру, характерную для эффекта кулоновской блокады.
Продолжены экспериментальные исследования ростовой поверхности эпитаксиальных слоев нитрида галлия, полученных молекулярно-лучевой эпитаксией при относительно высоких температурах.
Публикации результатов работ по настоящему проекту в 32 научных статьях и их апробация на 14 международных и региональных конференциях свидетельствует о том, что уровень проведенных исследований и разработок соответствует мировому. Подготовлена и успешно проведена 02.05.2006 г. защита кандидатской диссертации Путято М.А.
Составлены и оформлены отчет и сопутствующая документация.