Регистрация / Вход
Прислать материал

Развитие системы ведущих научных школ как среды генерации знаний и подготовки научно-педагогических кадров высшей квалификации. Выполнение научно-исследовательских работ по приоритетным направлениям Программы. "Исследование процессов получения квантоворазмерных наноструктур при молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых материалов типа А3В5, А4В4 и А2В6 для приборных применений".

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Выполнение этапа проекта
Проект
02.445.11.7418
Организация
ИФП СО РАН

Выполнение научно-исследовательских работ по приоритетным направлениям программы: «Информационно-телекоммуникационные системы», «Индустрия наносистем и материалы», «Живые системы», «Рациональное природопользование», «Энергетика и энергосбережение», «Безопасность и противодействие терроризму» и развитие на этой основе ведущих научных школ (в том числе улучшение их квалификационной и возрастной структуры).

Этапы проекта

1
09.06.2006 - 02.10.2006
Проведен анализ опубликованных данных по каждому из разделов работы.
Проведен выбор направления исследований для каждого из разделов работы. Разработан и изготовлен модернизированный дифрактометр быстрых электронов с программным обеспечением.
Оптимизированы процессы синтеза гетероструктур на основе полупроводниковых соединений А3В5, А2В6 и наноструктур с квантовыми точками Ge в Si предельно малых размеров (<10 нм) распределенных на Si с поверхностной плотностью до (3-8)х1012 см-2 при однородности эффективных толщин пленок не хуже 5% и разбросом размеров квантовых точек не хуже 17%.
На основе двумерного электронного газа в AlGaAs/GaAs мембране создан одноэлектронный транзистор, работающий на эффекте кулоновской блокады - двухбарьерная структура с квантовой точкой. Изготовлены тестовые приборные структуры и проведено исследование их электрофизических и оптических свойств. Зависимость проводимости квантовой точки от тянущего и затворного напряжений имеет ромбовидную структуру, характерную для эффекта кулоновской блокады.
Продолжены экспериментальные исследования ростовой поверхности эпитаксиальных слоев нитрида галлия, полученных молекулярно-лучевой эпитаксией при относительно высоких температурах.
Публикации результатов работ по настоящему проекту в 32 научных статьях и их апробация на 14 международных и региональных конференциях свидетельствует о том, что уровень проведенных исследований и разработок соответствует мировому. Подготовлена и успешно проведена 02.05.2006 г. защита кандидатской диссертации Путято М.А.
Составлены и оформлены отчет и сопутствующая документация.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники" на 2002-2006 годы

Программное мероприятие

1.12 Развитие системы ведущих научных школ как среды генерации знаний и подготовки научно-педагогических кадров высшей квалификации
Тема
Развитие системы ведущих научных школ как среды генерации знаний и подготовки научно-педагогических кадров высшей квалификации. Выполнение научно-исследовательских работ по приоритетным направлениям Программы.
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
320 млн
Количество заявок
600
Тема
Наноструктуры для полупроводниковых лазеров и генерации ультракоротких импульсов света.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1
Тема
Исследование процессов транспорта энергии и заряда в металлических, полупроводниковых и высокомолекулярных наноструктурах.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
3
Тема
Атомные процессы и технологии изготовления твердотельных полупроводниковых наноструктур.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1
Тема
Источники и приемники терагерцового диапазона на основе полупроводниковых наноструктур Si/Ge и A3B5.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1