Регистрация / Вход
Прислать материал

Развитие системы ведущих научных школ как среды генерации знаний и подготовки научно-педагогических кадров высшей квалификации. Выполнение научно-исследовательских работ по приоритетным направлениям Программы. "Кинетические явления в полупроводниковых резонансно-туннельных наноструктурах".

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Выполнение этапа проекта
Проект
02.445.11.7367
Организация
ФИАН

Выполнение научно-исследовательских работ по приоритетным направлениям программы: «Информационно-телекоммуникационные системы», «Индустрия наносистем и материалы», «Живые системы», «Рациональное природопользование», «Энергетика и энергосбережение», «Безопасность и противодействие терроризму» и развитие на этой основе ведущих научных школ (в том числе улучшение их квалификационной и возрастной структуры).

Соисполнители

Организация
МИЭТ

Этапы проекта

1
09.06.2006 - 02.10.2006
Развита теория электронного транспорта в электронных волноводах с переменным сечением с учетом многомодовости. Найдены условия реализации электростатического эффекта Ааронова-Бома в квантовом интерференционном транзисторе. Разработана теория резонансного туннелирования на одиночном барьере в структуре обращенного резонансно-туннельного диода. Показано, что подбарьерный резонанс обусловлен выходом связанного состояния в непрерывный спектр.
Методом молекулярно-лучевой эпитаксии изготовлены диодные и длиннопериодические сверхрешеточные резонансно-туннтельные структуры, параметры которых определялись в результате физического моделирования.
Проведено исследование поперечного резонансно-туннельного транспорта в сверхрешетках GaAsAlGaAs, обусловленного туннельными переходами между уровнями Ландау в соседних квантовых ямах, в сильном наклонном магнитном поле. Рассмотрено влияние крупномасштабных неоднородностей на границе барьера и ямы в структурах с квантовыми ямами на динамику резонансного туннелирования, сопровождающегося релаксацией электронов на оптических фононах.
Изучены процессы трансформации резонансно-туннельной структуры длиннопериодных сверхрешеток GaAs/AlGaAs в поперечном электрическом поле. Выполнен анализ возможностей экспериментальной реализации «квантового» режима генерации в резонансно-туннельных структурах. Показано, что практическая реализация режима зависит не только от усилительных возможностей генераторной структуры, но также от характеристик внешнего резонатора, которые в случае высоких терагерцовых частот играют особенно важную роль.
Теоретически и экспериментально исследованы межзонные переходы в трехъямных структурах с асимметричными барьерами, представляющих собой активный элемент униполярного лазера, во внешнем электрическом поле. Обнаружен набор значений внешнего поля, при которых время безызлучательной межподзонной релаксации между лазерными уровнями возрастает в несколько раз по сравнению со структурой с симметричными барьерами.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники" на 2002-2006 годы

Программное мероприятие

1.12 Развитие системы ведущих научных школ как среды генерации знаний и подготовки научно-педагогических кадров высшей квалификации
Тема
Развитие системы ведущих научных школ как среды генерации знаний и подготовки научно-педагогических кадров высшей квалификации. Выполнение научно-исследовательских работ по приоритетным направлениям Программы.
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
320 млн
Количество заявок
600
Тема
Резонансно-туннельные наногетероструктуры для квантово-классических интегральных схем.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1
Тема
Наноструктуры для полупроводниковых лазеров и генерации ультракоротких импульсов света.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1
Тема
Атомные процессы и технологии изготовления твердотельных полупроводниковых наноструктур.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1
Тема
Источники и приемники терагерцового диапазона на основе полупроводниковых наноструктур Si/Ge и A3B5.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1