Развитие системы ведущих научных школ как среды генерации знаний и подготовки научно-педагогических кадров высшей квалификации. Выполнение научно-исследовательских работ по приоритетным направлениям Программы. "Кинетические явления в полупроводниковых резонансно-туннельных наноструктурах".

Развита теория электронного транспорта в электронных волноводах с переменным сечением с учетом многомодовости. Найдены условия реализации электростатического эффекта Ааронова-Бома в квантовом интерференционном транзисторе. Разработана теория резонансного туннелирования на одиночном барьере в структуре обращенного резонансно-туннельного диода. Показано, что подбарьерный резонанс обусловлен выходом связанного состояния в непрерывный спектр.
Методом молекулярно-лучевой эпитаксии изготовлены диодные и длиннопериодические сверхрешеточные резонансно-туннтельные структуры, параметры которых определялись в результате физического моделирования.
Проведено исследование поперечного резонансно-туннельного транспорта в сверхрешетках GaAsAlGaAs, обусловленного туннельными переходами между уровнями Ландау в соседних квантовых ямах, в сильном наклонном магнитном поле. Рассмотрено влияние крупномасштабных неоднородностей на границе барьера и ямы в структурах с квантовыми ямами на динамику резонансного туннелирования, сопровождающегося релаксацией электронов на оптических фононах.
Изучены процессы трансформации резонансно-туннельной структуры длиннопериодных сверхрешеток GaAs/AlGaAs в поперечном электрическом поле. Выполнен анализ возможностей экспериментальной реализации «квантового» режима генерации в резонансно-туннельных структурах. Показано, что практическая реализация режима зависит не только от усилительных возможностей генераторной структуры, но также от характеристик внешнего резонатора, которые в случае высоких терагерцовых частот играют особенно важную роль.
Теоретически и экспериментально исследованы межзонные переходы в трехъямных структурах с асимметричными барьерами, представляющих собой активный элемент униполярного лазера, во внешнем электрическом поле. Обнаружен набор значений внешнего поля, при которых время безызлучательной межподзонной релаксации между лазерными уровнями возрастает в несколько раз по сравнению со структурой с симметричными барьерами.