Регистрация / Вход
Прислать материал

Развитие системы ведущих научных школ как среды генерации знаний и подготовки научно-педагогических кадров высшей квалификации. Выполнение научно-исследовательских работ по приоритетным направлениям Программы. "Межчастичные взаимодействия и коллективные явления в электронно-дырочных системах в полупроводниковых наноструктурах".

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Выполнение этапа проекта
Проект
02.445.11.7425
Организация
ИФТТ РАН

Выполнение научно-исследовательских работ по приоритетным направлениям программы: «Информационно-телекоммуникационные системы», «Индустрия наносистем и материалы», «Живые системы», «Рациональное природопользование», «Энергетика и энергосбережение», «Безопасность и противодействие терроризму» и развитие на этой основе ведущих научных школ (в том числе улучшение их квалификационной и возрастной структуры).

Этапы проекта

1
09.06.2006 - 02.10.2006
-определены критические условия конденсации межъямных экситонов в латеральных ловушках, созданных с использованием металлического слоя-маски на поверхности структур;
- в условиях высокого спектрального и пространственного разрешения (вплоть до 1мкм) выяснена природа пространственно-периодических структур люминесценции, возникающих в бозе-конденсате взаимодействующих межъямных экситонов в латеральных ловушках;
- проанализировано влияние механизма первичного возбуждения (возбуждение резонаторной моды и возбуждение экситонов в КТ) на форму спектра излучения экситон-фотонных мод в квазинульмерных микрорезонаторах;
- определены времена спиновой когерентности и спиновой релаксации в экситон-поляритонной системе в плоских микрорезонаторах;
- выяснена природа осцилляций энергии поляритонных переходов в магнитном поле при возбуждении линейно поляризованным светом;
- изучено влияние долгоживущих (tau>10нс), связанных на локализованных тяжелых дырках магнитных поляронов на формирование спектральных особенностей и температурное поведение магнитофотолюминесценции в сверхрешетках второго типа на основе ZnMnSe/ZnSSe;
- исследована возможность прямого измерения дисперсии композитных частиц с помощью оптического детектирования комбинированного акустического и микроволнового циклотронного резонанса композитных фермионов вблизи факторов заполнения 1/2 и 1/4;
- исследована дисперсия мод циклотронных возбуждений с переворотом спина в системе двумерных электронов при единичном факторе заполнения;
- измерены кулоновские щели в Дробном Квантовом Эффекте Холла и исследованы зависимости кулоновских щелей при факторах заполнения 1/3 и 2/5 от магнитного поля и температуры;
- создан опытный образец спектрального анализатора, работающего в диапазоне частот электромагнитного излучения 10-1000 ГГц, обладающего спектральным разрешением около 1 ГГц и работающего при температурах выше азотной (Т>100K);
- измерены особенности в фотоотклике двумерных электронных систем на второй и более высоких субгармониках циклотронного резонанса, изучены их зависимости от мощности излучения и проведен анализ возможности их объяснения в рамках однофотонного поглощения.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники" на 2002-2006 годы

Программное мероприятие

1.12 Развитие системы ведущих научных школ как среды генерации знаний и подготовки научно-педагогических кадров высшей квалификации
Тема
Развитие системы ведущих научных школ как среды генерации знаний и подготовки научно-педагогических кадров высшей квалификации. Выполнение научно-исследовательских работ по приоритетным направлениям Программы.
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
320 млн
Количество заявок
600
Тема
Наноструктуры для полупроводниковых лазеров и генерации ультракоротких импульсов света.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1
Тема
Атомные процессы и технологии изготовления твердотельных полупроводниковых наноструктур.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1
Тема
Исследование оптических и электронных свойств наноструктурированных полупроводников и диэлектриков.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
2
Тема
Источники и приемники терагерцового диапазона на основе полупроводниковых наноструктур Si/Ge и A3B5.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1