Регистрация / Вход
Прислать материал

Разработка многофункциональной установки молекулярно-пучковой эпитаксии, обеспечивающей получение наногетероструктур на основе соединений А3В5 и Si-Ge, и базовой технологии их получения.

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Выполнение этапа проекта
Проект
02.447.11.2007
Организация
ЗАО "НТО"

разработка технологического эпитаксиального оборудования – многофункциональной установки молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ), обеспечивающей получение наногетероструктур на основе InAlGaAs/GaAs; InAlGaN/GaN, Si-Ge или комбинаций данных систем материалов и базовой технологии выращивания нанослоёв этих материалов

Соисполнители

Организация
АО "Светлана-Рост"
Организация
ИАП РАН
Организация
ИФП СО РАН

Этапы проекта

1
22.07.2005 - 08.12.2005
Создана эскизная документация установки. Выполнены варианты. Присвоена документам литера «Э». Закуплены материалы и комплектующие. Проведено макетирование камеры роста (КР), ростового манипулятора (РМ) в вариантах. Разработана технология изготовления верхней и нижней криопанели. Разработана и изготовлена оснастка. Проведено макетирование нижней и верхней криопанелей в вариантах. Разработана технология изготовления фланца испарителей в вариантах. Проведено макетирование фланца испарителей в вариантах, линейного манипулятора (ЛМ) в вариантах, камеры предварительной подготовки (КПП), механизма КПП и узла нагрева КПП (УН) в вариантах. Созданы временная откачная система и временные каркасы для испытания камер. Проведены: макетирование газовой линии, вакуумная подготовка, сборка, запуск и испытание макетов в условиях сверхвысоковакуумной откачки камер. Выяснены возможности взаимной юстировки механизмов и камер, работоспособности и надёжности механики передачи и вращений; функционирования нагревательных элементов РМ и УН; влияние нагрева на вращение подложкодержателя на РМ и юстировку. Проведены: макетирование электронных блоков и системы автоматизации, испытание макетов, патентные исследования, выбор вариантов для дальнейшей проработки, принятие принципиальных решений, дополнение и уточнение работ на следующий этап, разработка технических решений, направленных на обеспечение показателей надежности, разработка базовых технологий, выработка конкретного плана разработки базовых технологий (БТ), закупка материалов и комплектующих для технологических работ, разработки в системах AlGaN/GaN и SiGe/Si, выращивание гетероструктур, включающих нанослои AlGaN и нанослои Si-Ge, измерение параметров образцов, закупка комплектующих для опытного образца.
Развернуть
2
01.01.2006 - 30.04.2006
Разработаны конструктивные решения основных составных частей камер, узлов, механизмов и т.д. с присвоением документам литеры "Т". Закуплены материалы и комплектующие. Разработаны и изготовлены макеты. Доработаны существующие макеты. Уточнены технологии изготовления узлов и механизмов в соответствии с выбранными вариантами исполнений. Подготовлены, собраны, запущены и испытаны макеты. Приняты окончательные технические решения. Разработана рабочая техническая документация. Разработана программа и методики предварительных испытаний.
Закуплены материалы и комплектующие для технологических работ. Проведена разработка в системах InAlGaN/GaN, AlGaAs/GaAs, Si-Ge/Si. Выращены гетероструктуры, включающие нанослои AlGaN, InGaN, AlGaAs, Si-Ge. Измерены параметры образцов. Закуплены комплектующие для опытного образца.На данном этапе в системе AlInGaN в качестве модельного варианта исследован рост наноразмерных слоев GaN на толстых (0,2?) релаксированых слоях AlN, а также особенности сегрегации жидкого In на поверхностях нитридных полупроводников, определены режимы каплеообразования в зависимости от шероховатости исходной поверхности. В системе InAlGaAs исследованы закономерности образования ДЭГ в гетероструктурах типа рНЕМТ, в частности, влияние кинетики роста и состава слоя InGaAs на свойства ДЭГ. В гибридной системе InAs/Si продемонстрирована принципиальная возможность получения InAs квантовых точек в Si, изучены условия перехода 2D/3D-роста. Исследовано влияние Sb на релаксацию напряжений и дефектообразование в многослойных Ge/Si гетероструктурах.
Развернуть
3
01.05.2006 - 31.10.2006
Выпущен опытный образец многофункциональной установки молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ), представляющий собой передовое сверхвысоковакуумное технологическое эпитаксиальное оборудование, обеспечивающее уникальные возможности получения различных наногетероструктур на основе InAlGaAs/GaAs; InAlGaN/GaN, Si-Ge или комбинаций данных систем полупроводниковых материалов. Разработанная установка МПЭ обеспечивает широкие технологические возможности и по ряду ключевых технических параметров превосходит зарубежные аналоги. Разработаны базовые технологические процессы выращивания нанослоёв методом МПЭ на основе указанных материалов, обеспечивающие получение наноструктур, удовлетворяющих по качеству современному уровню развития полупроводниковой наноэлектроники.
Изготовлен опытный образец многофункциональной установки МПЭ. Произведены запуск и предварительные испытания опытного образца. Откорректирована КД с присвоением литеры «О» и проведена доработка опытного образца. Разработана программа и методики приёмочных испытаний. Проведены государственные приёмочные испытания опытного образца и корректировка конструкторской документации с присвоением литеры «О1» . Разработан проект ТУ. Проведены разработки в системах InAlGaN/GaN, InAlGaAs/GaAs, Si-Ge/Si. Выращены гетероструктуры, включающие нанослои AlGaN, InGaN, AlGaAs, In GaAs, Si-Ge. Разработана документация на базовые технологии (БТ) нанослоёв. Изготовлены полупроводниковые образцы в соответствии с ТЗ на опытном образце многофункциональной установки. Закуплены комплектующие для опытного образца многофункциональной установки МПЭ.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники" на 2002-2006 годы

Программное мероприятие

2.2 Проведение опытно-конструкторских, технологических и экспериментальных разработок по приоритетным направлениям развития научно-технической сферы (в том числе на долевой основе с хозяйствующими субъектами)
Тема
Разработка многофункциональной установки молекулярно-пучковой эпитаксии, обеспечивающей получение наногетероструктур на основе соединений А3В5 и Si-Ge, и базовой технологии их получения
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
30 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка автоматизированной платформы на основе связанных кластеров технологических и аналитических модулей молекулярно-лучевой эпитаксии и имплантации ионными пучками.
Продолжительность работ
2007 - 2009, 25 мес.
Бюджетные средства
250 млн
Количество заявок
1
Тема
Новые наногетероструктуры ферромагнетик-полупроводник и ферромагнетик-антиферромагнетик для создания базовых элементов спинтроники.
Продолжительность работ
2008 - 2009, 14 мес.
Бюджетные средства
5 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка базовых методов синтеза полупроводникового материала с промежуточной зоной на основе наногетероструктур с квантовыми точками германия в кремнии.
Продолжительность работ
2008 - 2009, 14 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка базовых серийных технологий изделий микроэлектроники: микроэлектронных устройств различных типов (КВЧ монолитных интегральных схем на метаморфных наногетероструктурах).
Продолжительность работ
2011 - 2012, 14 мес.
Бюджетные средства
0 млн
Количество заявок
1